公开(公告)号：CN1100525A

公开(公告)日：1995-03-22

申请号：CN94102498.9

申请日：1994-02-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 箱木浩尚 ,  山根隆志

IPC: G02F1/05 ,  G02B6/10

CPC classification number: G02F1/035 ,  G02F1/2255 ,  G02F2001/212 ,  G02F2201/07

Abstract: 在借以制成光波导管的LiNbO3晶体基片上制成SiO2绝缘缓冲层，在缓冲层上制作Si半导体薄膜。在半导体薄膜上制作SiO2绝缘扩散抑制层，在扩散抑制层上设置一对金电极。电极经固相扩散进入半导体薄膜而生成硅化物的问题，可用扩散抑制层来防止。

公开(公告)号：CN1037996C

公开(公告)日：1998-04-08

申请号：CN94102498.9

申请日：1994-02-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 箱木浩尚 ,  山根隆志

IPC: G02F1/05 ,  G02B6/10

CPC classification number: G02F1/035 ,  G02F1/2255 ,  G02F2001/212 ,  G02F2201/07

Abstract: 在借以制成光波导管的LiNbO3晶体基片上制成SiO2绝缘缓冲层，在缓冲层上制作Si半导体薄膜。在半导体薄膜上制作SiO2绝缘扩散抑制层，在扩散抑制层上设置一对金电极。电极经固相扩散进入半导体薄膜而生成硅化物的问题，可用扩散抑制层来防止。