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公开(公告)号：CN101222017A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710199179.8
申请日：2002-11-08
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , H01F10/3254 , H01F10/3259 , H01F10/3263 , H01F10/3268
摘要： 一种磁电阻元件，其通过在磁电阻效应膜的厚度方向上给出读出电流而检测磁电阻的改变量，该磁电阻效应膜至少包括一个底层、一个自由层、一个非磁性层、一个被固定层、一个固定层和一个保护层，该磁电阻元件包括粒状结构层，该粒状结构层包括导电颗粒和薄膜形式的绝缘基质材料，该绝缘基质材料包含处于分散状态的所述导电颗粒并且其厚度小于所述导电颗粒的颗粒直径，该粒状结构层邻接于所述自由层和所述被固定层中的任何一个层。
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公开(公告)号：CN100394628C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN02149946.2
申请日：2002-11-08
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , H01F10/3254 , H01F10/3259 , H01F10/3263 , H01F10/3268
摘要： 一种磁电阻元件，其通过在磁电阻效应膜的厚度方向上给出读出电流而检测磁电阻的改变量，该磁电阻效应膜至少包括一个底层、一个自由层、一个非磁性层、一个被固定层、一个固定层和一个保护层，该磁电阻元件包括粒状结构层，该粒状结构层包括导电颗粒和薄膜形式的绝缘基质材料，该绝缘基质材料包含处于分散状态的所述导电颗粒并且其厚度小于所述导电颗粒的颗粒直径，该粒状结构层邻接于所述自由层和所述被固定层中的任何一个层。
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公开(公告)号：CN101222018A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710199180.0
申请日：2002-11-08
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , H01F10/3254 , H01F10/3259 , H01F10/3263 , H01F10/3268
摘要： 一种磁电阻元件，其通过在磁电阻效应膜的厚度方向上给出读出电流而检测磁电阻的改变量，该磁电阻效应膜至少包括一个底层、一个自由层、一个非磁性层、一个被固定层、一个固定层和一个保护层，该磁电阻元件包括粒状结构层，该粒状结构层包括导电颗粒和薄膜形式的绝缘基质材料，该绝缘基质材料包含处于分散状态的所述导电颗粒并且其厚度小于所述导电颗粒的颗粒直径，该粒状结构层邻接于所述自由层和所述被固定层中的任何一个层。
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公开(公告)号：CN1428876A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02149946.2
申请日：2002-11-08
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , H01F10/3254 , H01F10/3259 , H01F10/3263 , H01F10/3268
摘要： 一种磁阻元件，其通过在磁阻效应膜的厚度方向上给出读出电流而检测磁阻的改变量，该磁阻效应膜包括至少一个底层、一个自由层、一个非磁性层、一个被固定层、一个固定层和一个保护层，该磁阻元件包括粒状结构层，其中包括导电颗粒和包含分散状态的导电颗粒并且具有小于导电颗粒的颗粒直径的厚度的薄膜形式的绝缘基质材料，该粒状结构层被插入在底层、自由层、非磁性层、被固定层、固定层以及保护层中的至少两个相邻层之间。
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