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公开(公告)号:CN104018213B
公开(公告)日:2016-11-16
申请号:CN201410206288.8
申请日:2014-05-15
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及仿碧玺的合成碳硅石晶体及其制备方法。所述碧玺类型包括绿色碧玺和多色碧玺。通过向6H‑SiC和4H‑SiC的生长体系中掺杂N杂质,可获得与绿色碧玺相似的绿色碳硅石单晶。本发明还提供仿多色碧玺的制备方法。本发明的绿色、多色仿碧玺的碳硅石材料具有颜色纯正、折射率高、硬度大、色散强,加工成宝石成品后颜色与碧玺极其相似,亮度更高、火彩更强,耐久性更优良。
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公开(公告)号:CN102525050B
公开(公告)日:2013-11-06
申请号:CN201210012632.0
申请日:2012-01-16
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明提供涉及刻面明亮琢型碳硅石宝石及其切磨加工方法,碳硅石宝石冠角为34°~35°,亭角为41°~42°,台宽比为49%~51%,冠高比为17%~18%,亭深比为43%~44%,全深比为62%~65%。本发明包括圆形明亮琢型等多种常见明亮琢型碳硅石宝石的切磨角度和比例。本发明根据碳硅石宝石本身的晶轴取向、折射率、颜色、透明度等特定性质,采用所述切磨角度和比例后,刻面碳硅石的光泽、闪烁和火彩得到了综合的最优化的展现。
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公开(公告)号:CN102198701B
公开(公告)日:2014-05-14
申请号:CN201110121351.4
申请日:2011-05-11
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种刻面碳化硅宝石成品的加工方法。包括切割、预型、圈形、研磨、抛光等步骤,用金刚石切割线将碳化硅单晶棒切割成小的长方体粗坯,将碳化硅长方体粗坯的c面或与c面偏角不大于5°的面作为台面,采用内细外粗的研磨盘,研磨时先用研磨盘外圈研磨再用研磨盘内圈研磨,抛光分粗抛光和精抛光,并严格控制各步骤的工艺条件。本发明方法减小了切割损耗、减小了重影现象,加工出的碳化硅宝石具有比钻石更高的亮度和火彩,商业价值高。
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公开(公告)号:CN102525050A
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201210012632.0
申请日:2012-01-16
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明提供涉及刻面明亮琢型碳硅石宝石及其切磨加工方法,碳硅石宝石冠角为34°~35°,亭角为41°~42°,台宽比为49%~51%,冠高比为17%~18%,亭深比为43%~44%,全深比为62%~65%。本发明包括圆形明亮琢型等多种常见明亮琢型碳硅石宝石的切磨角度和比例。本发明根据碳硅石宝石本身的晶轴取向、折射率、颜色、透明度等特定性质,采用所述切磨角度和比例后,刻面碳硅石的光泽、闪烁和火彩得到了综合的最优化的展现。
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公开(公告)号:CN104018213A
公开(公告)日:2014-09-03
申请号:CN201410206288.8
申请日:2014-05-15
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及仿碧玺的合成碳硅石晶体及其制备方法。所述碧玺类型包括绿色碧玺和多色碧玺。通过向6H-SiC和4H-SiC的生长体系中掺杂N杂质,可获得与绿色碧玺相似的绿色碳硅石单晶。本发明还提供仿多色碧玺的制备方法。本发明的绿色、多色仿碧玺的碳硅石材料具有颜色纯正、折射率高、硬度大、色散强,加工成宝石成品后颜色与碧玺极其相似,亮度更高、火彩更强,耐久性更优良。
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公开(公告)号:CN103320862A
公开(公告)日:2013-09-25
申请号:CN201310226282.2
申请日:2013-06-07
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及有色碳硅石宝石及其制备方法。所述有色碳硅石宝石是在6H-SiC或4H-SiC中掺杂有不同类型的杂质元素,所述杂质元素包括背景杂质元素N、B、Al和/或故意掺杂的杂质元素Ti、V、Ni、N、Ce之一种或2种。有色碳硅石宝石的制备方法,将籽晶置于坩埚的上盖底部,将高纯SiC粉料或掺入掺杂剂的SiC粉料置于坩埚底部,生长室压力在50~120mbar,升温2000~2500℃采用升华法生长。本发明的方法制备的有色碳硅石宝石颜色均一,透明度好。
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公开(公告)号:CN102198701A
公开(公告)日:2011-09-28
申请号:CN201110121351.4
申请日:2011-05-11
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种刻面碳化硅宝石成品的加工方法。包括切割、预型、圈形、研磨、抛光等步骤,用金刚石切割线将碳化硅单晶棒切割成小的长方体粗坯,将碳化硅长方体粗坯的c面或与c面偏角不大于5°的面作为台面,采用内细外粗的研磨盘,研磨时先用研磨盘外圈研磨再用研磨盘内圈研磨,抛光分粗抛光和精抛光,并严格控制各步骤的工艺条件。本发明方法减小了切割损耗、减小了重影现象,加工出的碳化硅宝石具有比钻石更高的亮度和光彩,商业价值高。
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公开(公告)号:CN103320862B
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN201310226282.2
申请日:2013-06-07
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及有色碳硅石宝石及其制备方法。所述有色碳硅石宝石是在6H-SiC或4H-SiC中掺杂有不同类型的杂质元素,所述杂质元素包括背景杂质元素N、B、Al和/或故意掺杂的杂质元素Ti、V、Ni、N、Ce之一种或2种。有色碳硅石宝石的制备方法,将籽晶置于坩埚的上盖底部,将高纯SiC粉料或掺入掺杂剂的SiC粉料置于坩埚底部,生长室压力在50~120mbar,升温2000~2500℃采用升华法生长。本发明的方法制备的有色碳硅石宝石颜色均一,透明度好。
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