公开(公告)号：CN113604866A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202110769280.2

申请日：2021-07-07

申请人： 山东大学

发明人： 王圣来 ,  张力元 ,  杨厚文 ,  程文雍 ,  刘慧 ,  李祥琳

IPC分类号： C30B7/00 ,  C30B29/22

摘要： 本发明涉及一种通过锌离子掺杂提高KDP晶体532nm激光损伤阈值的方法，利用Zn2+来调控KDP晶体的激光损伤性能。通过控制生长原料中含Zn2+化合物的加入量，可生长出不同Zn2+含量的KDP晶体。少量Zn2+存在的情况下可提高KDP晶体抗532nm激光体损伤的能力，为提高KDP晶体损伤性能提供新的途径。本发明制备工艺简单、晶体生长周期短、生产过程无特殊环境要求，并且与未掺杂的晶体相比，制得的掺Zn2+晶体的532nm激光损伤阈值得到提高，这将在KDP晶体的实际应用中提供依据。

公开(公告)号：CN112213173A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN202011045463.1

申请日：2020-09-29

申请人： 山东大学

发明人： 王圣来 ,  徐龙云 ,  余波 ,  刘慧 ,  张力元 ,  王波

IPC分类号： G01N1/32

摘要： 本发明涉及一种KH2PO4晶体{101}晶面产生清晰位错蚀坑的方法，属于晶体表征技术领域。切割得到KDP晶面样品，对样品正反面进行抛光备用。配置74％～76％含水量的水‑乙醇混合溶液作为晶体腐蚀液，室温下将晶体样品置于该腐蚀液中并保持10～20s，取出后使用该腐蚀液对晶体表面抛光2～4s，抛光机转速设置在120～200r/min，将晶体表面的溶液擦拭干净并烘干，在光学显微镜和3D激光共聚焦显微镜下观察处理好的晶体表面，得到清晰的位错蚀坑照片。