公开(公告)号：CN106757346A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611175554.0

申请日：2016-12-19

申请人： 山东大学

发明人： 李伟东 ,  丁建旭 ,  顾庆天 ,  王圣来 ,  许心光 ,  余波

IPC分类号： C30B29/14 ,  C30B33/00

摘要： 本发明涉及了一种保护水溶液生长晶体表面台阶的方法。利用KDP不溶于正己烷和氯仿的特性，以及正己烷密度小于水的密度，水的密度小于氯仿的密度这种物理性质，将残存在晶体表面的水溶液清除掉，保证生长台阶形貌的完整性、准确性，安全有效的保存晶体。有机溶剂在使用前，尽量加热到与生长溶液相似的温度，避免温度差过大造成晶体的开裂。本发明能够完全的避免在去除晶体表面所附着的水溶液时所带来的破坏，不会造成晶体表面残留溶质的再结晶以及表面结构的破坏。可以减少实验测试时寻找完整干净表面带来的工作难度，保证生长台阶形貌的完整性和准确性。

公开(公告)号：CN106757346B

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201611175554.0

申请日：2016-12-19

申请人： 山东大学

发明人： 李伟东 ,  丁建旭 ,  顾庆天 ,  王圣来 ,  许心光 ,  余波

IPC分类号： C30B29/14 ,  C30B33/00

摘要： 本发明涉及了一种保护水溶液生长晶体表面台阶的方法。利用KDP不溶于正己烷和氯仿的特性，以及正己烷密度小于水的密度，水的密度小于氯仿的密度这种物理性质，将残存在晶体表面的水溶液清除掉，保证生长台阶形貌的完整性、准确性，安全有效的保存晶体。有机溶剂在使用前，尽量加热到与生长溶液相似的温度，避免温度差过大造成晶体的开裂。本发明能够完全的避免在去除晶体表面所附着的水溶液时所带来的破坏，不会造成晶体表面残留溶质的再结晶以及表面结构的破坏。可以减少实验测试时寻找完整干净表面带来的工作难度，保证生长台阶形貌的完整性和准确性。