公开(公告)号：CN118024131A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410191739.9

申请日：2024-02-21

Applicant: 山东大学

Inventor： 张雷 ,  赵轩伊 ,  俞娇仙 ,  李秋波 ,  王守志 ,  王国栋 ,  徐现刚

IPC: B24B37/04 ,  B24B1/00 ,  B01F33/452 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明公开一种紫外光催化辅助抛光氮化镓单晶装置及抛光方法，所述抛光液包括小颗粒硅溶胶、双氧水溶液、光催化剂、分散剂、PH调节剂和水，所述紫外光催化辅助抛光氮化镓单晶装置包括石英玻璃瓶和石英玻璃试管，所述石英玻璃试管的末端伸入石英玻璃瓶的内腔底部，所述石英玻璃试管内设有紫外灯，所述石英玻璃瓶内设有抛光液，所述石英玻璃试管将紫外灯与抛光液分隔开，所述紫外灯的顶端在所述抛光液的液面下面，所述紫外灯360度照射所述抛光液，所述石英玻璃瓶的内腔底部设有搅拌装置。该装置使用了改进的抛光液，该抛光液组合物对环境友好，对人体无害，还有将紫外灯放置在抛光液内部，增加了辐照面积，且照射均匀，提高了抛光效率。

公开(公告)号：CN118181129A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410527569.7

申请日：2024-04-29

Applicant: 山东大学

Inventor： 张雷 ,  赵轩伊 ,  王守志 ,  王国栋 ,  俞娇仙 ,  徐现刚

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B37/34 ,  B24B57/02

Abstract: 本发明属于半导体制造技术领域，尤其涉及一种减薄辅助氮化镓单晶的化学机械抛光方法。所述化学机械抛光方法包括步骤：S1.首先使用减薄机对氮化镓单晶的Ga面进行第一次减薄研磨200‑250μm和第二次减薄研磨150‑200μm；然后对氮化镓单晶的N面进行第一次减薄研磨150‑200μm和第二次减薄研磨100‑150μm；S2.利用化学腐蚀与机械研磨对步骤S1的减薄修饰后的氮化镓单晶进行抛光。本发明通过减薄辅助的方式，在CMP之前对氮化镓单晶进行表面处理，克服了传统氮化镓单晶研磨过程中耗时长、易碎和翘曲大的技术问题，相比于传统磨抛方式损伤程度减小，效率和良率提高。

公开(公告)号：CN119635419A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411809699.6

申请日：2024-12-10

Applicant: 山东晶镓半导体有限公司 ,  山东大学

Inventor： 张雷 ,  赵轩伊 ,  王守志 ,  王国栋 ,  俞娇仙 ,  徐现刚

IPC: B24B1/00 ,  B24B37/00 ,  B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B37/34 ,  B24B57/02

Abstract: 本发明属于半导体制造技术领域，尤其涉及一种紫外光催化辅助的氮化镓晶圆抛光方法，包括如下步骤：S1，将研磨冲洗后的氮化镓晶圆固定于抛光机的夹具上；S2，对抛光机的密封舱进行抽真空处理，直至真空度达到设定的真空度阈值，然后向密封舱内充入氧气，直至密封舱内氧气的压力值达到设定的压力阈值；S3，打开紫外灯和加热器，紫外灯照射抛光液，加热器将抛光液加热到设定的温度并维持该温度恒定，然后启动抛光机，对氮化镓晶圆进行抛光；S4，对抛光完成后对氮化镓晶圆进行清洗。本方法提高了氧化速率，进而提高了氮化镓晶圆的抛光效率。