公开(公告)号：CN1693542A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN200510042174.5

申请日：2005-03-22

申请人： 山东大学

发明人： 仪修杰 ,  陈焕矗 ,  韩建儒 ,  赵明磊

IPC分类号： C30B29/32 ,  C30B11/00

摘要： 钛酸铋钠钾系非铅铁电压电单晶及其生长方法与设备，属于晶体生长技术领域。单晶分子通式为：(Na(1－x)Kx)0.5Bi0.5TiO3，其中x＝0～1.0。按摩尔化学计量比，Na2CO3∶K2CO3∶Bi2O3∶TiO2＝(1－x)∶x∶1∶4的基础上，Bi2O3过量15～20wt％，Na2CO3过量10～15wt％，K2CO3过量10～15wt％，作为自助熔剂；经过原料的合成及预处理后，用自发成核生长的BNTK固溶体单晶作籽晶，采用自助熔剂法生长，生长炉在原来的基础上通以冷风，加大固液界面的过冷度，使晶体生长的驱动力变大，能够生长大尺寸的BNTK单晶。

公开(公告)号：CN86100393B

公开(公告)日：1988-03-02

申请号：CN86100393

申请日：1986-01-22

申请人： 山东大学

发明人： 刘跃岗 ,  徐斌 ,  韩建儒 ,  蒋民华

IPC分类号： C30B29/14 ,  C30B9/06

摘要： 助熔剂法生长ＫＴＰ晶体的一种工艺，属盐熔液冷却法生长晶体的技术领域。以ＫＰＯ３和Ｋ４Ｐ２Ｏ７为助熔剂，将一定配比的原料放入铂坩埚中，电炉丝加热。ＴｉＯ２＋ＫＰＯ３ ＫＴｉＯＰＯ４（ＫＴＰ）原料全部熔化后降至饱和点，顶部下籽晶并旋转之。不断降温生长，周期１～２月。本发明的工艺和装置，操作简便，效果良好，适用于工业生产。

公开(公告)号：CN1401611A

公开(公告)日：2003-03-12

申请号：CN02135524.X

申请日：2002-09-11

申请人： 山东大学

发明人： 王卓 ,  杨长红 ,  房昌水 ,  王民 ,  韩建儒 ,  陈焕矗 ,  胡季帆

IPC分类号： C04B35/462 ,  C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  B32B18/00

摘要： 本发明属于薄膜技术领域。本发明的主要内容是钛酸铋钠系列薄膜材料是由钛、铋、钠、钡、铅、锶、钙和氧离子组成的，其组成的分子式为(1－X)(Bi0.5Na0.5)TiO3+XMTiO3，X的取值为0～0.6；M代表钡、铅、锶或钙。该薄膜材料是采用金属有机溶液沉积的方法制备出来的。它克服了钛酸铋钠陶瓷在铁电区电导率偏高，烧结温度窄，易吸水等弱点。本发明具有良好的存储特性和热释电性，可广泛用于微电子，光电子，计算机，传感器，航空航天技术等领域。

公开(公告)号：CN1304648C

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200510042174.5

申请日：2005-03-22

申请人： 山东大学

发明人： 仪修杰 ,  陈焕矗 ,  韩建儒 ,  赵明磊

IPC分类号： C30B29/32 ,  C30B11/00

摘要： 钛酸铋钠钾系非铅铁电压电单晶及其生长方法，属于晶体生长技术领域。单晶分子通式为：(Na(1-x)Kx)0.5Bi0.5TiO3，其中x＝0～1.0。按摩尔化学计量比，Na2CO3∶K2CO3∶Bi2O3∶TiO2＝(1-x)∶x∶1∶4的基础上，Bi2O3过量15～20wt%，Na2CO3过量10～15wt%，K2CO3过量10～15wt%，作为自助熔剂；经过原料的合成及预处理后，用自发成核生长的BNTK固溶体单晶作籽晶，采用自助熔剂法生长，生长炉在原来的基础上通以冷风，加大固液界面的过冷度，使晶体生长的驱动力变大，能够生长大尺寸的BNTK单晶。

公开(公告)号：CN1176044C

公开(公告)日：2004-11-17

申请号：CN02135524.X

申请日：2002-09-11

申请人： 山东大学

发明人： 王卓 ,  杨长红 ,  房昌水 ,  王民 ,  韩建儒 ,  陈焕矗 ,  胡季帆

IPC分类号： C04B35/462 ,  C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  B32B18/00

摘要： 本发明属于薄膜技术领域。本发明的主要内容是钛酸铋钠系列薄膜材料是由钛、铋、钠、钡、铅、锶、钙和氧离子组成的，其组成的分子式为(1-X)(Bi0.5Na0.5)TiO3+XMTiO3，X的取值为0～0.6；M代表钡、铅、锶或钙。该薄膜材料是采用金属有机溶液沉积的方法制备出来的。它克服了钛酸铋钠陶瓷在铁电区电导率偏高，烧结温度窄，易吸水等弱点。本发明具有良好的存储特性和热释电性，可广泛用于微电子，光电子，计算机，传感器，航空航天技术等领域。

公开(公告)号：CN86100393A

公开(公告)日：1987-09-02

申请号：CN86100393

申请日：1986-01-22

申请人： 山东大学

发明人： 刘跃岗 ,  韩建儒 ,  徐斌 ,  蒋民华

IPC分类号： C30B29/22 ,  C30B29/14 ,  C30B17/00 ,  C30B9/06

摘要： 助熔剂法生长KTP晶体的一种工艺和装置，属盐熔液冷却法生长晶体的技术领域。以KPO3和K4P2O7为助熔剂，将一定配比的原料放入铂坩埚中，电炉丝加热。TiO2+KPO3KTiOPO4(KTP)原料全部熔化后降至饱和点，顶部下籽晶并旋转之。不断降温生长，周期1—2月。本发明的工艺和装置，操作简便，效果良好，适用于工业生产。