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公开(公告)号：CN118373693B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410804480.0
申请日：2024-06-21
申请人： 山东硅纳新材料科技有限公司
IPC分类号： C04B35/5835 , C04B35/5833 , C04B35/626
摘要： 本发明提供一种h‑BN‑SiAlON复合型绝缘高导热球型粉体及其制备方法，包括原料粉体的混合球磨、喷雾造粒、烧结等步骤。加入Si3N4、AlN、B2O3等高导热陶瓷粉对h‑BN进行改性，通过各原料间的反应从微观结构上对高导热球形陶瓷粉体进行多元复合，制备出一种具有高致密度和高强度的h‑BN‑SiAlON复合型绝缘高导热球型粉体。本发明的制备方法解决了现有技术中需要额外添加粘结剂而引入杂质、颗粒强度低、易破裂导致导热系数降低等问题。制得的h‑BN‑SiAlON复合型绝缘高导热球型粉体具有高导热、高致密度、高填充量、绝缘性好以及在与高分子材料复合过程中，不会出现破裂的特点，并且对原料要求简单，制备过程危险性小，可实现球型粉体的大量生产制备。
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公开(公告)号：CN118373693A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410804480.0
申请日：2024-06-21
申请人： 山东硅纳新材料科技有限公司
IPC分类号： C04B35/5835 , C04B35/5833 , C04B35/626
摘要： 本发明提供一种h‑BN‑SiAlON复合型绝缘高导热球型粉体及其制备方法，包括原料粉体的混合球磨、喷雾造粒、烧结等步骤。加入Si3N4、AlN、B2O3等高导热陶瓷粉对h‑BN进行改性，通过各原料间的反应从微观结构上对高导热球形陶瓷粉体进行多元复合，制备出一种具有高致密度和高强度的h‑BN‑SiAlON复合型绝缘高导热球型粉体。本发明的制备方法解决了现有技术中需要额外添加粘结剂而引入杂质、颗粒强度低、易破裂导致导热系数降低等问题。制得的h‑BN‑SiAlON复合型绝缘高导热球型粉体具有高导热、高致密度、高填充量、绝缘性好以及在与高分子材料复合过程中，不会出现破裂的特点，并且对原料要求简单，制备过程危险性小，可实现球型粉体的大量生产制备。
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公开(公告)号：CN118373692B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410804481.5
申请日：2024-06-21
申请人： 山东硅纳新材料科技有限公司
IPC分类号： C04B35/582 , C04B35/622
摘要： 本发明提供一种无压烧结制备h‑BN‑AlON耐高温绝缘套筒的方法，具体步骤包括粉体混合球磨、冷等静压成型及无压烧结等步骤。本发明中将h‑BN粉体、B2O3粉体、Al2O3粉体、AlN粉体和MgSiN2粉体等陶瓷粉均匀混合在一起，采用冷等静压成型的方式将陶瓷粉直接成型为圆筒状坯体，通过对坯体少量加工实现材料的近净成型；采用无压烧结方式利用高温环境下B2O3与AlN进行高温固相反应原位生成BN与Al2O3，同时残余的AlN与Al2O3固溶形成高温稳定且绝缘的AlON，从而制得h‑BN‑AlON耐高温绝缘套筒。其具有高致密度、高强度、使用寿命长且高温稳定性好、绝缘性能佳的优点。本发明的制备方法简单，加工量小，成本较低且生产效率高，有利于工业化大生产的推广和应用。
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公开(公告)号：CN118373692A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410804481.5
申请日：2024-06-21
申请人： 山东硅纳新材料科技有限公司
IPC分类号： C04B35/582 , C04B35/622
摘要： 本发明提供一种无压烧结制备h‑BN‑AlON耐高温绝缘套筒的方法，具体步骤包括粉体混合球磨、冷等静压成型及无压烧结等步骤。本发明中将h‑BN粉体、B2O3粉体、Al2O3粉体、AlN粉体和MgSiN2粉体等陶瓷粉均匀混合在一起，采用冷等静压成型的方式将陶瓷粉直接成型为圆筒状坯体，通过对坯体少量加工实现材料的近净成型；采用无压烧结方式利用高温环境下B2O3与AlN进行高温固相反应原位生成BN与Al2O3，同时残余的AlN与Al2O3固溶形成高温稳定且绝缘的AlON，从而制得h‑BN‑AlON耐高温绝缘套筒。其具有高致密度、高强度、使用寿命长且高温稳定性好、绝缘性能佳的优点。本发明的制备方法简单，加工量小，成本较低且生产效率高，有利于工业化大生产的推广和应用。
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