一种碳化硅肖特基二极管及其制作方法

    公开(公告)号:CN118198150B

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202410619712.5

    申请日:2024-05-20

    申请人: 山东大学

    摘要: 本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管及其制作方法,其涉及功率器件设计技术领域。包括:4H‑SiC衬底层的上方依次沉积N型SiC外延层和P型SiC外延层;所述N型SiC外延层具有漂移层和缓冲层,且所述漂移层沉积于所述缓冲层的上方,所述漂移层上表面的一侧为N级台阶结构;所述P型SiC外延层包括P型梯形岛和SiO2保护层,所述P型梯形岛沉积于所述SiO2保护层内,且所述SiO2保护层与所述N级台阶结构耦合;所述漂移层上表面的另一侧沉积阳极,所述P型梯形岛与所述阳极连接;所述4H‑SiC衬底层的下方沉积阴极。本发明优化了P型梯形岛两侧附近的强电场分布情况,提升碳化硅肖特基二极管反向工作的稳定性。

    一种碳化硅肖特基二极管及其制作方法

    公开(公告)号:CN118198150A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202410619712.5

    申请日:2024-05-20

    申请人: 山东大学

    摘要: 本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管及其制作方法,其涉及功率器件设计技术领域。包括:4H‑SiC衬底层的上方依次沉积N型SiC外延层和P型SiC外延层;所述N型SiC外延层具有漂移层和缓冲层,且所述漂移层沉积于所述缓冲层的上方,所述漂移层上表面的一侧为N级台阶结构;所述P型SiC外延层包括P型梯形岛和SiO2保护层,所述P型梯形岛沉积于所述SiO2保护层内,且所述SiO2保护层与所述N级台阶结构耦合;所述漂移层上表面的另一侧沉积阳极,所述P型梯形岛与所述阳极连接;所述4H‑SiC衬底层的下方沉积阴极。本发明优化了P型梯形岛两侧附近的强电场分布情况,提升碳化硅肖特基二极管反向工作的稳定性。

    一种芯吸土工布的布设方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117845680A

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202410081131.0

    申请日:2024-01-19

    IPC分类号: E01C3/06 E02D17/20

    摘要: 本发明涉及一种芯吸土工布的布设方法,包括以下步骤:新建路基施工过程中对芯吸土工布路基内部分进行铺设,其中,芯吸土工布设有保护装置,保护装置包括保护管,保护管通过转动组件连接转轴以实现转轴绕自身轴线转动,芯吸土工布伸入保护管内部并在转轴上缠绕连接后其活动端伸出保护管,转轴的转动能够带动芯吸土工布收卷和释放,芯吸土工布用于铺设在边坡的部分在新建路基施工过程中通过转轴收卷在保护管内部;新建路基的边坡处置施工完成后,通过转轴的转动释放芯吸土工布,使得芯吸土工布展开平铺在边坡上,然后对芯吸土工布在边坡上进行固,本发明的布设方法避免了边坡处置施工时对芯吸土工布的损坏,保证了芯吸土工布的功能。

    一种用于注浆锚杆的高分子触变型锚固剂

    公开(公告)号:CN116904012A

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202310857459.2

    申请日:2023-07-13

    申请人: 山东大学

    摘要: 本发明属于锚固剂技术领域,涉及一种用于注浆锚杆的高分子触变型锚固剂。所述锚固剂包括A组份和B组份,其中,A组分包括由硅酸钠溶液和硅酸钾溶液组成的水玻璃、由油酸钾和单丁基氧化硒组成的催化剂;B组分包括异氰酸酯类物质、端氨基树脂、触变剂、促溶剂。本发明方法制备得到的高分子触变型锚固剂粘性低,流动性好,具有良好的触变性;凝结时间快且温度敏感性高,可根据调节温度来改变初凝时间,早期强度发展快,最终形成固结体抗压强度较高,韧性好,可以满足绝大部分工程需求,制备方法简单,易于操作,环保无污染,克服了现有技术中聚氨酯‑水玻璃锚固剂触变性低,凝结时间慢,锚固剂注入顶面后易流淌的问题。

    一种搭载于盾构尾部的同步注浆实时监测系统及方法

    公开(公告)号:CN116658245A

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202310604560.7

    申请日:2023-05-25

    申请人: 山东大学

    摘要: 本发明涉及盾构机同步注浆监测技术领域,特别是涉及一种搭载于盾构尾部的同步注浆实时监测系统及方法,包括盾壳,盾壳行进方向的后端位于围岩和管片之间,盾壳行进方向的后端设有注浆组件和注浆雷达监测组件,注浆雷达监测组件电性连接有信息处理决策系统,信息处理决策系统与注浆组件电性连接。本发明可以对盾构掘进过程中对同步注浆浆液进行实时探测,保障了工程掘进的需求,同时可以通过注浆雷达监测组件得到更加清晰的雷达图像,提高检测结果,同时信息处理决策系统可以根据监测结果智能化调整注浆压力,减小了施工作业人员的主观性影响,实现了自动监测,自动调节。

    一种外延层均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法

    公开(公告)号:CN118156319B

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202410571402.0

    申请日:2024-05-10

    申请人: 山东大学

    摘要: 本发明公开了一种外延层均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法,其涉及器件设计技术领域。包括:所述4H‑SiC衬底层的上表面沉积所述N型SiC外延层,所述N型SiC外延层表面上的一侧沉积P型SiC外延层;所述P型SiC外延层包括:SiO2保护层、多个长度相同且间距相等的P型梯形岛,SiO2保护层与靠近SiO2保护层的第一个P型梯形岛相连,且所述多个P型梯形岛之间首尾相连;所述N型SiC外延层表面上的另一侧沉积阳极,且远离所述SiO2保护层的最后一个P型梯形岛与阳极连接,所述4H‑SiC衬底层的下表面沉积阴极。本发明扩大了电场分布的空间,使SiC SBD器件有着更为均匀的电场分布。

    一种搭载于盾构尾部的同步注浆实时监测系统及方法

    公开(公告)号:CN116658245B

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN202310604560.7

    申请日:2023-05-25

    申请人: 山东大学

    摘要: 本发明涉及盾构机同步注浆监测技术领域,特别是涉及一种搭载于盾构尾部的同步注浆实时监测系统及方法,包括盾壳,盾壳行进方向的后端位于围岩和管片之间,盾壳行进方向的后端设有注浆组件和注浆雷达监测组件,注浆雷达监测组件电性连接有信息处理决策系统,信息处理决策系统与注浆组件电性连接。本发明可以对盾构掘进过程中对同步注浆浆液进行实时探测,保障了工程掘进的需求,同时可以通过注浆雷达监测组件得到更加清晰的雷达图像,提高检测结果,同时信息处理决策系统可以根据监测结果智能化调整注浆压力,减小了施工作业人员的主观性影响,实现了自动监测,自动调节。

    一种外延层非均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法

    公开(公告)号:CN118173618B

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202410584864.6

    申请日:2024-05-13

    申请人: 山东大学

    摘要: 本发明公开了一种外延层非均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法,其涉及器件设计技术领域。包括:4H‑SiC衬底层的上表面沉积所述N型SiC外延层,所述N型SiC外延层表面上的一侧沉积P型SiC外延层;所述P型SiC外延层包括:SiO2保护层、多个长度和间距不均等的P型梯形岛,SiO2保护层与靠近SiO2保护层的第一个P型梯形岛相连,且所述多个P型梯形岛之间首尾相连;所述N型SiC外延层表面上的另一侧沉积阳极,所述4H‑SiC衬底层的下表面沉积阴极。本发明对碳化硅(SiC)SBD器件的边缘终端进行改进,显著提高碳化硅SBD器件的反向击穿电压,优化碳化硅SBD器件的整体性能。

    一种外延层均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法

    公开(公告)号:CN118156319A

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202410571402.0

    申请日:2024-05-10

    申请人: 山东大学

    摘要: 本发明公开了一种外延层均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法,其涉及器件设计技术领域。包括:所述4H‑SiC衬底层的上表面沉积所述N型SiC外延层,所述N型SiC外延层表面上的一侧沉积P型SiC外延层;所述P型SiC外延层包括:SiO2保护层、多个长度相同且间距相等的P型梯形岛,SiO2保护层与靠近SiO2保护层的第一个P型梯形岛相连,且所述多个P型梯形岛之间首尾相连;所述N型SiC外延层表面上的另一侧沉积阳极,且远离所述SiO2保护层的最后一个P型梯形岛与阳极连接,所述4H‑SiC衬底层的下表面沉积阴极。本发明扩大了电场分布的空间,使SiC SBD器件有着更为均匀的电场分布。