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公开(公告)号：CN115198371B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211136736.2
申请日：2022-09-19
申请人： 山西中科潞安半导体技术研究院有限公司
摘要： 本发明涉及AlN晶体制备技术领域，具体涉及一种采用PVT法接续生长高质量AlN晶体的方法及装置。该方法首先将AlN粉末放入金属坩埚中，将金属坩埚置于石英腔室内的石墨坩埚中；然后将金属坩埚抽真空，通过顶部线圈和底部线圈使金属坩埚内达到AlN晶体生长温度，在金属坩埚内部钨网或钨柱处得到独立沿N面生长AlN独立籽晶；逐渐调整顶部线圈和底部线圈功率，最后在钨网或钨柱处获得大尺寸的高质量AlN晶体。本发明通过晶体生长腔室底部和顶部温度反转的接续生长工艺，极大程度减少非晶体生长时间，有效延缓石墨毡、石墨坩埚及钨坩埚等耗材使用寿命，与此同时，减少装卸料时间，降低时间及人力成本，提高晶体有效生长时间。本发明主要应用于半导体器件方面。
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公开(公告)号：CN115198371A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202211136736.2
申请日：2022-09-19
申请人： 山西中科潞安半导体技术研究院有限公司
摘要： 本发明涉及AlN晶体制备技术领域，具体涉及一种采用PVT法接续生长高质量AlN晶体的方法及装置。该方法首先将AlN粉末放入金属坩埚中，将金属坩埚置于石英腔室内的石墨坩埚中；然后将金属坩埚抽真空，通过顶部线圈和底部线圈使金属坩埚内达到AlN晶体生长温度，在金属坩埚内部钨网或钨柱处得到独立沿N面生长AlN独立籽晶；逐渐调整顶部线圈和底部线圈功率，最后在钨网或钨柱处获得大尺寸的高质量AlN晶体。本发明通过晶体生长腔室底部和顶部温度反转的接续生长工艺，极大程度减少非晶体生长时间，有效延缓石墨毡、石墨坩埚及钨坩埚等耗材使用寿命，与此同时，减少装卸料时间，降低时间及人力成本，提高晶体有效生长时间。本发明主要应用于半导体器件方面。
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公开(公告)号：CN117230528B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311517535.1
申请日：2023-11-15
申请人： 山西中科潞安半导体技术研究院有限公司
IPC分类号： C30B25/18 , C30B25/16 , C30B25/12 , C30B25/14 , C30B29/40 , C23C14/06 , C23C14/35 , C23C14/58
摘要： 本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种有效提升半导体外延材料均匀性的方法，包括下列步骤：将蓝宝石衬底放入磁控溅射设备中，然后进行多次AlN溅射补长工艺，所述多次AlN溅射补长工艺包括第一次溅射、第二次溅射和第三次溅射；将未经溅射蓝宝石衬底置于石墨盘片槽内，在石墨盘矫正槽内放入高反射钨片，在石墨盘边缘放入内空阻流环，运行矫正生长配方，根据高反射钨片炉次间温度差，调整生长配方温度，进行修正补偿；将AlN模板放入石墨盘片槽内，在石墨盘边缘放入阻流环，运行经过矫正生长配方，进行AlN薄膜生长。本发明通过多次AlN溅射补长工艺，为外延AlN薄膜的炉次间生长提供了可靠、稳定、优质的溅射AlN衬底。
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公开(公告)号：CN117230528A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311517535.1
申请日：2023-11-15
申请人： 山西中科潞安半导体技术研究院有限公司
IPC分类号： C30B25/18 , C30B25/16 , C30B25/12 , C30B25/14 , C30B29/40 , C23C14/06 , C23C14/35 , C23C14/58
摘要： 本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种有效提升半导体外延材料均匀性的方法，包括下列步骤：将蓝宝石衬底放入磁控溅射设备中，然后进行多次AlN溅射补长工艺，所述多次AlN溅射补长工艺包括第一次溅射、第二次溅射和第三次溅射；将未经溅射蓝宝石衬底置于石墨盘片槽内，在石墨盘矫正槽内放入高反射钨片，在石墨盘边缘放入内空阻流环，运行矫正生长配方，根据高反射钨片炉次间温度差，调整生长配方温度，进行修正补偿；将AlN模板放入石墨盘片槽内，在石墨盘边缘放入阻流环，运行经过矫正生长配方，进行AlN薄膜生长。本发明通过多次AlN溅射补长工艺，为外延AlN薄膜的炉次间生长提供了可靠、稳定、优质的溅射AlN衬底。
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