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公开(公告)号：CN117418207A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311746412.5
申请日：2023-12-19
申请人： 山西农业大学
摘要： 一种三靶高功率脉冲磁控共溅射方法，属于材料表面改性技术领域，可解决单靶磁控溅射效率低、涂层成分调控难，直流‑射频共溅射以及直流‑高功率共溅射离子能量较低、涂层微结构调控差，高功率脉冲磁控共溅射放电过程易出现相互干扰、涂层均匀性、试验结果一致性与重复性难以保证的问题，本发明可通过控制三个溅射靶的溅射功率、溅射频率、脉宽、脉冲时间间隔、峰值电流以及偏压幅值等参数实现对涂层成分与微结构的调控。本发明采用相位可控的三靶高功率脉冲磁控共溅射技术，沉积效率高、离化率高，离子能量可控，可更有效对涂层的微结构进行调控。
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公开(公告)号：CN117418207B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311746412.5
申请日：2023-12-19
申请人： 山西农业大学
摘要： 一种三靶高功率脉冲磁控共溅射方法，属于材料表面改性技术领域，可解决单靶磁控溅射效率低、涂层成分调控难，直流‑射频共溅射以及直流‑高功率共溅射离子能量较低、涂层微结构调控差，高功率脉冲磁控共溅射放电过程易出现相互干扰、涂层均匀性、试验结果一致性与重复性难以保证的问题，本发明可通过控制三个溅射靶的溅射功率、溅射频率、脉宽、脉冲时间间隔、峰值电流以及偏压幅值等参数实现对涂层成分与微结构的调控。本发明采用相位可控的三靶高功率脉冲磁控共溅射技术，沉积效率高、离化率高，离子能量可控，可更有效对涂层的微结构进行调控。(56)对比文件Jing-Tang Chang等.Influence ofunipolar pulse time offset between Ti andZr dual cathodes in closed magnetic fieldhigh power impulse magnetron sputtering.《Surface & Coatings Technology》.2022,第446卷第1-9页.王伟杰等.共溅射沉积的TbFeCo薄膜《.真空科学与技术》.1991,第11卷(第6期),第401-406页.揭晓华等.脉冲放电工艺参数对TiC涂层形成的影响《.材料保护》.2006,第39卷(第4期),第39-41页.
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公开(公告)号：CN117778977A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311857011.7
申请日：2023-12-29
申请人： 山西农业大学
摘要： 本发明公开了高功率脉冲磁控溅射与调制脉冲磁控溅射复合共沉积方法，属于材料表面改性技术领域。针对现有单靶高功率脉冲磁控溅射(调制脉冲磁控溅射)、直流‑高功率脉冲磁控共溅射以及同质多靶调制脉冲磁控溅射复合共沉积等方法难以实现对多元合金涂层成分与微结构进行系统调控的问题，本发明结合高功率脉冲磁控溅射与调制脉冲磁控溅射的等离子体与脉冲放电特性，通过控制溅射功率、溅射频率、占空比、脉冲时间间隔、峰值电流以及偏压幅值等参数实现对涂层成分与微结构的调控。
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