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发明公开
基于特征模分析法抑制高阶模的非均匀超表面天线设计审中-实审

公开(公告)号：CN118712752A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410848586.0

申请日：2024-06-27

申请人： 山西大同大学

发明人： 刘海龙 , 冯彩霞 , 杨梓 , 董丽娟 , 孟田华

IPC分类号： H01Q15/00 , G06F30/10 , G06F30/20

摘要： 本发明属于通讯天线技术领域，具体涉及为一种基于特征模分析法抑制高阶模的非均匀超表面天线设计。该非均匀超表面天线包括两层介质和三层金属，上层金属是加载缝隙的非均匀超表面单元，中间金属为刻蚀矩形耦合缝隙的接地层，下层金属是微带馈线结构。本发明采用特征模分析法对上层金属逐步改变超表面的结构，首先在超表面中间的P1单元加载两条沿y方向平行槽、P2单元加载井字型槽、左右两侧P3、P4单元加载x方向平行槽，缩短相应的电流路径，抑制部分高阶模以及电流沿x方向的简并模；之后在P1三分之后的外侧贴片上加载x方向平行槽，进一步抑制其余高阶模。本发明优化后的天线工作频带为5.8‑8.7GHz，相对带宽40%，增益为5.45 ‑7.18 dBi，辐射特性得到明显改善。