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公开(公告)号：CN114606004A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210360099.0
申请日：2022-04-07
申请人： 岭南师范学院
摘要： 本发明涉及半导体量子点技术领域，尤其涉及一种窄线宽红、绿、蓝光CdZnSe/ZnSe量子点及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：(1)将氧化镉、硬无水醋酸锌、油酸和三辛胺混合，加热抽真空后，充入氮气，混合物与Se前驱体A混合得到CdZnSe种子；(2)将CdZnSe种子与Se前驱体B混合，进行CdZnSe种子的二次生长，得到CdZnSe晶核；(3)将CdZnSe晶核、硬脂酸锌、Se前驱体B和十二酸混合后进行反应，完成ZnSe外壳层包覆。本发制备的高质量的红、绿、蓝光CdZnSe/ZnSe量子点分别表现出16.1nm、16.5nm和11nm的荧光半峰宽。
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公开(公告)号：CN114525135B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202210361152.9
申请日：2022-04-07
申请人： 岭南师范学院
IPC分类号： C09K11/88 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H10K50/115
摘要： 本发明属于纳米材料技术领域。本发明提供了一种大尺寸厚壳层的无镉蓝光量子点的制备方法，本发明首先合成小尺寸的ZnSe种子，随后单独制备了同时含有Zn和Se元素的ZnSe前驱体，连续附着在ZnSe种子表面，获得大尺寸ZnSe晶核；通过调节Zn、Se和S离子的比例，制备了同时含有三个元素的ZnSeS前驱体，从而合成了具有梯度渐变能隙的ZnSexS1‑x合金壳层，构建了梯度渐变的势阱；最后通过薄层ZnS外壳层的包覆，进一步提升电子和空穴波函数交叠，提高其发光效率。本发明中大尺寸的硒化锌晶核保证了纯正的蓝光发射，梯度渐变壳层的包覆在修饰量子点表面缺陷的同时，也丰富了整体量子点的光学和电学特性。
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公开(公告)号：CN114591740A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210361138.9
申请日：2022-04-07
申请人： 岭南师范学院
摘要： 本发明提供了一种窄线宽磷化铟量子点的制备方法，属于纳米材料合成技术领域。本发明在室温下，将铟前驱体、磷前驱体和成核稳定剂加入反应中混合并反应，得到磷‑铟复合物后在高温下分解合成磷化铟量子点。本发明在成核前加入稳定剂，进一步确保了量子点成核尺寸分布的均一性。通过本申请的制备方法，可以比较稳定的获得窄线宽的磷化铟纳米晶，为磷化铟量子点在显示或其他需要窄线宽领域的研究和应用提供了更好的选择。
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公开(公告)号：CN109370594A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811471095.X
申请日：2018-12-04
申请人： 岭南师范学院
CPC分类号： C09K11/883 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/02
摘要： 本发明涉及一种高荧光量子产率且近似球形CdZnS/CdSe/CdZnS量子阱的制备方法，属于纳米晶材料制备技术领域；具体制备方法为通过高温热注入法制备粒径在4.0nm左右的CdZnS核量子点，CdZnS量子点沉淀与相应配位溶剂混合，通过连续离子层吸附的方法，即按照一定的速率滴加一定量的阳离子与阴离子的混合前驱体，制备得到包覆有CdSe壳层为0.7nm的CdZnS/CdSe量子点；继续滴加混合的阴阳离子前驱体合成CdZnS/CdSe/CdZnS量子点量子阱；该发明方法可以缓解CdZnS核与CdSe发光层之间的晶格适配度，使得CdSe相干应变层很好的结晶，有效改进了传统的核壳结构的量子点的荧光量子产率；制备的CdS/CdSe/CdS量子点量子阱使得CdSe发光层很好的被厚的外壳层修饰表面缺陷，最终使得发光效率达到100％。
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公开(公告)号：CN114606004B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202210360099.0
申请日：2022-04-07
申请人： 岭南师范学院
摘要： 本发明涉及半导体量子点技术领域，尤其涉及一种窄线宽红、绿、蓝光CdZnSe/ZnSe量子点及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：(1)将氧化镉、硬无水醋酸锌、油酸和三辛胺混合，加热抽真空后，充入氮气，混合物与Se前驱体A混合得到CdZnSe种子；(2)将CdZnSe种子与Se前驱体B混合，进行CdZnSe种子的二次生长，得到CdZnSe晶核；(3)将CdZnSe晶核、硬脂酸锌、Se前驱体B和十二酸混合后进行反应，完成ZnSe外壳层包覆。本发制备的高质量的红、绿、蓝光CdZnSe/ZnSe量子点分别表现出16.1nm、16.5nm和11nm的荧光半峰宽。
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公开(公告)号：CN114621768A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210372901.8
申请日：2022-04-07
申请人： 岭南师范学院
摘要： 本发明属于量子点材料技术领域，公开了一种无镉蓝光量子点及其制备方法。该量子点由内到外依次包括ZnSe/ZnSe晶核、ZnSeS合金壳层、ZnS外壳层；利用高温热注入法合成具有紫光发射的ZnSe种子，然后对ZnSe种子进行二次生长，得到具有大于等于450nm发射波长的晶核；再通过调控Se离子和S离子的比例得到不同能隙的合金壳层，从而调控整体量子点的载流子分布；最后通过ZnS外壳层的包覆，对量子点表面进行修饰，同时提升载流子限域，进而提高其发光效率。本发明的量子点具有较高的荧光量子产率、较窄线宽且尺寸均一，可以应用于各类光电器件领域。
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公开(公告)号：CN114525135A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210361152.9
申请日：2022-04-07
申请人： 岭南师范学院
摘要： 本发明属于纳米材料技术领域。本发明提供了一种大尺寸厚壳层的无镉蓝光量子点的制备方法，本发明首先合成小尺寸的ZnSe种子，随后单独制备了同时含有Zn和Se元素的ZnSe前驱体，连续附着在ZnSe种子表面，获得大尺寸ZnSe晶核；通过调节Zn、Se和S离子的比例，制备了同时含有三个元素的ZnSeS前驱体，从而合成了具有梯度渐变能隙的ZnSexS1‑x合金壳层，构建了梯度渐变的势阱；最后通过薄层ZnS外壳层的包覆，进一步提升电子和空穴波函数交叠，提高其发光效率。本发明中大尺寸的硒化锌晶核保证了纯正的蓝光发射，梯度渐变壳层的包覆在修饰量子点表面缺陷的同时，也丰富了整体量子点的光学和电学特性。
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