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公开(公告)号：CN113981417B
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202111214807.1
申请日：2021-10-19
申请人： 常州亿晶光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/505 , C23C16/34 , C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/52 , C23C16/32
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公开(公告)号：CN109920882A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910259646.4
申请日：2019-04-02
申请人： 常州亿晶光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236
摘要： 本发明公开了一种N型双面电池制备方法，包括如下步骤：(1)清洗N型单晶硅片，去除硅片表面的沾污以及切割损伤层；(2)在扩散炉内进行磷扩散，形成N+层；(3)在硅片背面采用等离子体化学气相沉积法，生长一层氮化硅层；(4)然后进行正面绒面制备，形成具有陷光结构的金字塔绒面，金字塔高度为1～1.5um；(5)在扩散炉管内进行硼扩散，在硅片正面形成P型层；(6)用氢氟酸洗掉正面的硼硅玻璃；(7)然后在正面镀制氮化硅薄膜；(8)最后正面和背面均印刷银电极，完成烧结。本发明的N型双面电池的制备工艺能较好与兼容现有生产线，且所得的N型双面电池正面转换效率达21.5％，背面转换效率达18.2％。
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公开(公告)号：CN109183000A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201810946922.X
申请日：2018-08-20
申请人： 常州亿晶光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/458 , H01L31/18
摘要： 本发明提供一种石墨舟饱和工艺，通过使用15％-20％氢氟酸去除石墨舟片表面沉积的氮化硅，再使用纯水对石墨舟片进行漂洗，清洗完成后，用烘箱对石墨舟片进行烘干，使用PECVD对其进行预处理，通入硅烷和笑气N2O，开放射频功率，使其结构间二氧化硅呈电中性，且氧化物热化学稳定性强，重复沉积氮氧化硅，直至沉积总时间达到2500s。本发明提供的一种石墨舟饱和工艺，采用间歇式多次沉积方式，减少整个流程时间，优化工艺时间，使其表面氮化硅均匀性较好，有利于工艺时候石墨舟表面导热以及导电的均匀性，在里层增加了氮氧化硅在工艺射频时候充分保护了石墨舟，增加了石墨舟的使用寿命。
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公开(公告)号：CN108198912A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810156252.1
申请日：2018-02-24
申请人： 常州亿晶光电科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种太阳能电池自动分片设备，通过控制部分控制上料区将装满硅片的花篮输送至下片区，下片区将花篮内的硅片逐一卸下并输送至缓存区，缓存区将硅片输送至分片区中的移动机构，然后再由分片机构移送至上片区，并通过上片区将硅片放置在花篮上，最终将装满硅片的花篮通过下料区输送出去，实现分片，通过自动化分片，有效避免了人工取片与测片带来的污染、破片与划伤的问题，大大提高了测试效率，可完成大批量实验对比，提高实验精确性，减少误差。
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公开(公告)号：CN106601831B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201611257627.0
申请日：2016-12-30
申请人： 常州亿晶光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L21/308 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/3081 , H01L21/3085 , H01L31/02167 , H01L31/1804
摘要： 本发明属于太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池硅片刻蚀用水膜溶液及其应用。本发明提供了一种太阳能电池硅片刻蚀用水膜溶液，该水膜溶液为葡萄糖和双氟磺酰亚胺盐分散于水中所形成，采用上述水膜溶液在硅片的扩散面(正面)上形成保护层，再进入刻蚀槽刻蚀背面和边缘的PN结，这样能够抑制刻蚀液中挥发的酸在水膜中的重新溶解，从而减小对扩散面(正表面)PSG和PN结的破坏。
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公开(公告)号：CN106784154A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611261399.4
申请日：2016-12-30
申请人： 常州亿晶光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种太阳能电池板网板，包括网框、不锈钢网布和图案，所述不锈钢网布由多根不锈钢网丝纵横排布，且所述不锈钢网布的边缘固定在网框内，所述网框上设有至少两组检测端，所述两组检测端为(A1，A2)和(B1，B2)，所述网布四条边缘的网丝端点分别连接在四条导线上，所述A1和A2位于网布的一组对边上，且分别与该对边的两条导线连接，所述B1和B2位于网布的另一组对边上，且分别与该对边的两条导线分别连接。本发明提供的一种太阳能电池板网板，在网板上设置检测端，用于检测网板的电阻，以判断网板变形、断丝、损伤等问题，在不影响网板结构的前提下，使网板的性能测试更加简单快捷。
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公开(公告)号：CN108878289B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201810622327.0
申请日：2018-06-15
申请人： 常州亿晶光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/324 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及太阳能电池片生产技术领域，尤其涉及一种高效电池退火工艺，通过对背钝化后的硅片进行升温烘干，通过负压通气，在步骤4)至6)中一直保持负压状态，将水汽彻底去除干净；通过梯度降温的方式，能够将硅片体内的杂质更充分地析出，减少缺陷与复合；本发明和不使用退火工艺对比，硅片背面无水汽残留，开压平均提高了11mV,电流平均提高了42mA，转换效率提高了0.55％。
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公开(公告)号：CN112151641A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202011123637.1
申请日：2020-10-20
申请人： 常州亿晶光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
摘要： 本发明公开了一种利用绝缘边保护层来制备N型电池的方法。具体的步骤包括以下：(1)选择N型的单晶硅片，经过清洗制绒、硼扩散、去BSG；(2)利用滚筒传输装置，将介电层膜均匀的涂抹在硅片的边缘；(3)利用扩散进行磷扩散前或LPCVD沉积多晶硅前，利用高温将介电层与硅片进行微烧结；(4)脱胶，利用HF将绝缘的介电层及沉积在介电层上的磷一起进行剥离；(5)RCA去PSG层或多晶硅层绕镀后、正面进行AlOx、SiNx钝化，背面进行SiNX钝化(6)正面印刷银浆后进行烧结。该方法可有效解决N型硅片的边缘漏电问题。
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公开(公告)号：CN108628271B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201810665673.7
申请日：2018-06-26
申请人： 常州亿晶光电科技有限公司
IPC分类号： G05B19/418
摘要： 本发明涉及一种人工智能生产线控制方法，包括建立数据云、分析数据以及反馈闭环，使得人工反馈闭环最终量化为SPC转入自动反馈闭环，自动反馈闭环会随着时间的推移越来越完善，以此形成一个良性循环，使得人工智能能不断优化迭代，最终通过人工智能可以完全控制成熟生产线，将所有问题在没有发生前解决。本发明将数据的在线化存储代替离线存储，通过人工智能自动处理隐性问题，分析数据代替人工实验找问题点，自动预防显性问题，分析SPC方法预防各工序异常，从而解决了生产线对应工序物料不精确、数据利用率不高、对生产线各工序显性问题没有预知能力、生产线隐性问题排查不彻底等问题，达到节约生产成本、提高问题排查效率的目的。
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