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公开(公告)号:CN119813812A
公开(公告)日:2025-04-11
申请号:CN202411924739.1
申请日:2024-12-25
Applicant: 常州大学
IPC: H02M7/5387 , H02M1/12 , H02M1/32 , H02M1/00
Abstract: 本发明属于逆变器的技术领域,具体涉及一种基于双前馈的单相逆变器双闭环PI控制策略,本申请的基于双前馈的单相逆变器双闭环PI控制策略包括:单相逆变器硬件电路;所述单相逆变器硬件电路内置有多个电压与电流传感器精确采集输入直流母线电压Udc、单相逆变器输出电压uo、负载电流io和电感电流iL,将采集到的模拟信号数字化后送入DSP控制模块中,将DSPP控制模块中;本申请的基于双前馈的单相逆变器双闭环PI控制策略具有系统在复杂和动态的工作环境下能够迅速调整控制策略,实现迅速响应决策和高速精准控制的效果。
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公开(公告)号:CN119324643A
公开(公告)日:2025-01-17
申请号:CN202411510324.X
申请日:2024-10-28
Applicant: 常州大学
IPC: H02M7/5387
Abstract: 本发明公开了一种基于SiC MOSFET的宽频、宽电压可调单相高功率逆变电路,其特征在于,包括依次电性连接的输入直流源、全桥逆变电路、输出滤波电路和输出交流源,所述输入直流源还与输入直流电压采样模块电性连接,所述输入直流源与电感电流采样模块电性连接,所述输出交流源与负载电流采样模块和输出交流电压采用模块电性连接,所述输入直流电压采样模块、电感电流采样模块、负载电流采样模块和输出交流电压采样模块与DSP控制模块电性连接,所述DSP控制模块通过驱动模块与全桥逆变电路电性连接。本发明基于SiC MOSFET的宽频、宽电压可调单相高功率逆变电路,实现了在有限的开关频率下得到高性能的正弦波输出电压,且系统响应快、稳态好、可靠性高。
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