公开(公告)号：CN111192870A

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN202010008161.0

申请日：2020-01-06

申请人： 常州工学院

发明人： 姜一波 ,  毕卉 ,  李大锦 ,  施程

IPC分类号： H01L27/02

摘要： 本发明提供了一种应用于SOI工艺集成电路芯片的静电保护装置，包括半导体衬底、埋氧层、P型阱区、P型体接触区、N型阱区、N型接触区和P型接触区，P型阱区、P型体接触区、N型阱区、N型接触区和P型接触区均位于所述埋氧层之上的硅膜区内，P型体接触区的一部分伸入所述N型阱区，P型体接触区伸入所述N型阱区部分与N型阱区和P型接触区构成侧边触发BJT，P型阱区、N型阱区、P型接触区和N型接触区构成的PNPN结构构成可控硅，侧边触发BJT作为可控硅的触发机构，解决了SOI工艺中利用可控硅或者类可控硅作为静电保护装置时开启电压不可控且电压过大的问题，达到调制SOI工艺中可控硅或者类可控硅开启电压的目的，大幅度降低SOI工艺中可控硅或类可控硅的开启电压。

公开(公告)号：CN108999606A

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201810908066.9

申请日：2018-08-10

申请人： 常州工学院

发明人： 李辉 ,  姜一波 ,  蔡建文 ,  陶伟 ,  王林昌 ,  李大锦

IPC分类号： E21B47/13 ,  E21B47/013 ,  E21B47/00 ,  G06K9/00

摘要： 本发明公开了一种随钻方位电磁波电阻率测井曲线降噪方法，属于钻井、测井、定向井工程领域。本发明输入含有不同频率干扰噪声的随钻方位电磁波电阻率测井曲线，采用双树复小波变换，选择最优滤波器组合以及最佳分解尺度，对含有噪声的随钻方位电阻率测井曲线进行多尺度分解，分解为高频子带和低频子带，利用导向滤波对高频子带和低频子带进行降噪处理，对降噪后的高频子带和低频子带，再进行双树复小波逆变换，重构测井曲线。本发明可以降低井下高、低频干扰噪声对有用电磁波信号的影响，从而突出方位电阻率测井曲线在某些方向上的细节特征，降低曲线出现极值或坏点的概率，为实时导向钻井提供依据。