公开(公告)号：CN114703451A

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202210196004.6

申请日：2022-03-01

申请人： 常州工学院

发明人： 杜文汉 ,  陈旺泽 ,  顾俨湘 ,  杨景景 ,  胡素素

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/02 ,  C23C14/35

摘要： 本发明涉及一种制备类金刚石薄膜的方法，特别涉及一种制备高sp3碳碳键含量类金刚石薄膜的方法，包括如下步骤：步骤一、样品和磁铁的清洁处理；步骤二、通过磁控溅射制备氮掺杂类金刚石薄膜，将石墨靶材进行预溅射用于去除靶材表面杂质，预溅射时靶材和衬底之间的挡板保持关闭状态；预溅射的工艺条件为：溅射功率密度2W/cm2,溅射时间5分钟，溅射气体为高纯氩气，气体纯度为99.999％，氩气的流量为5～30sccm，溅射时的工艺真空度为0.5～5Pa；类金刚石薄膜沉积，此时靶材和衬底之间的挡板保持开启状态，类金刚石薄膜完成在衬底上的沉积过程；完成类金刚石薄膜沉积后，关闭磁控溅射的电源，关闭工艺气体流量阀，关闭靶材和衬底之间的挡板，关闭分子泵、真空泵。