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公开(公告)号:CN109698249A
公开(公告)日:2019-04-30
申请号:CN201910034142.2
申请日:2019-01-15
申请人: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号: H01L31/0236 , H01L31/18
摘要: 本发明公开了一种具有特定波长光吸收峰值的半导体基片,包括基片本体,其特征在于,所述基片本体设有由表面向内部加工的非均匀盲孔,所述非均匀盲孔包括由所述基片本体的表面向内连续设置的第一孔段和第二孔段,所述第一孔段直径大于第二孔段直径。本发明还公开了制备具有特定波长光吸收峰值的半导体基片的方法。本发明通过设置的非均匀盲孔阵列可以合理调节特定波长段光子的吸收率,适用于太阳能光伏电池及光电探测器领域。具有结构简单,效率高的特点,适合批量生产。
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公开(公告)号:CN209344084U
公开(公告)日:2019-09-03
申请号:CN201920059466.7
申请日:2019-01-15
申请人: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号: H01L31/0236 , H01L31/18
摘要: 本实用新型公开了一种具有特定波长光吸收峰值的半导体基片,包括基片本体,其特征在于,所述基片本体设有由表面向内部加工的非均匀盲孔,所述非均匀盲孔包括由所述基片本体的表面向内连续设置的第一孔段和第二孔段,所述第一孔段直径大于第二孔段直径。本实用新型通过设置的非均匀盲孔阵列可以合理调节特定波长段光子的吸收率,适用于太阳能光伏电池及光电探测器领域。具有结构简单,效率高的特点,适合批量生产。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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