一种图形化电磁屏蔽结构

    公开(公告)号:CN217509355U

    公开(公告)日:2022-09-27

    申请号:CN202220782932.6

    申请日:2022-04-06

    IPC分类号: H05K9/00

    摘要: 本实用新型公开了一种图形化电磁屏蔽结构,包括透明基体、导电轮廓体以及导电网络体;所述透明基体的表面设有多条第一线槽,多条所述第一线槽之间相互连接形成图形轮廓结构,所述导电轮廓体嵌入所述图形轮廓结构;所述透明基体的表面设有多条第二线槽,多条所述第二线槽之间相互连接形成空心网络结构,所述空心网络结构填充于所述图形轮廓结构的内部区域和/或外部区域,所述导电网络体嵌入所述空心网络结构。采用本实用新型,兼具良好的透明性、屏蔽效果以及耐热性能,图形的形状和尺寸不受屏蔽性能限定。

    调节喷墨打印薄膜微观组分分布的方法、共混墨水及应用

    公开(公告)号:CN116396637B

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202310361977.5

    申请日:2023-04-06

    摘要: 本发明公开了调节喷墨打印薄膜微观组分分布的方法、共混墨水及应用。所述方法包括:采用喷墨打印的方式将共混墨水打印形成共混异质结;其中,所述共混墨水包括主溶剂、助溶剂、电子给体以及电子受体;所述主溶剂为电子给体与电子受体的良溶剂,且电子给体和电子受体与主溶剂的相容性不同,所述助溶剂能够调节电子受体与溶剂的相容性;所述主溶剂的沸点高于140℃,所述助溶剂的沸点高于所述主溶剂。本发明所提供的方法通过调控电子给体和电子受体在活性层薄膜表面的溶解特性,可有效实现有机光电薄膜的表面组分的分布、结晶聚集等理化性能调控,尤其是显著提高了薄膜在微米尺度的组分分布均匀性,进而显著改善光电器件的光电转

    光电器件的界面修饰结构、界面修饰方法及其应用

    公开(公告)号:CN117135941A

    公开(公告)日:2023-11-28

    申请号:CN202210505999.X

    申请日:2022-05-16

    IPC分类号: H10K30/88 H10K71/00

    摘要: 本发明公开了一种光电器件的界面修饰结构、界面修饰方法及其应用。所述界面修饰结构包括ZnO层和界面修饰层,所述界面修饰层覆设于ZnO层表面,所述界面修饰层包括具有多个羟基的糖类化合物和/或其衍生物。本发明提供的界面修饰方法通过糖类或其衍生物形成界面修饰层,界面修饰层能够保护光电受体免受ZnO在光催化下产生的自由基的攻击,同步提高了光电器件的初始效率和耐老化性能;同时,糖类或其衍生物为生物可降解物质,无环境污染和刺激性,提高了光电器件的环保性和生物相容性,有利于大规模的制备应用。

    网络状体相接触的电极-界面层复合结构、其制法与应用

    公开(公告)号:CN116801691A

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN202210228893.X

    申请日:2022-03-09

    摘要: 本发明公开了一种网络状体相接触的电极‑界面层复合结构、其制法与应用。所述电极‑界面层复合结构的制法包括:提供金属纳米线网络,所述金属纳米线网络设置于活性层上;将所述流体界面缓冲层材料从作为顶电极的金属纳米线网络的顶部注入,使界面层在金属纳米线网络中形成贯通的结构,构建界面层与金属纳米线网络状体相接触的电极‑界面层复合结构。本发明提供的制法利用金属纳米线网络化堆积的特点,通过简单的注入界面缓冲层的方法,改善了金属纳米线与界面缓冲层之间的接触,金属纳米线与界面缓冲层具有充分的接触面积,可以形成更好的界面接触,大大降低界面接触电阻,提高金属纳米线顶电极电荷提取能力,具有很强的实用性。