公开(公告)号：CN112062155B

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202010870635.2

申请日：2020-08-26

申请人： 广东工业大学

发明人： 李娜 ,  刘少锋 ,  吴序豪

IPC分类号： C01G31/00 ,  C01G45/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明属于二维材料制备技术领域，具体涉及一种限域生长的超薄二维材料及其制备方法。本发明以一种小剂量的反应物A均匀分散于另一种大剂量反应物晶体粉末B表面上，得到混合物；然后采用水热法，使均匀分散的混合物反应，形成具有超薄结构的二维材料，即为限域生长的超薄二维材料。与现有类似的盐辅助制备二维材料的技术相比，本发明方法只要符合A可均匀分散于B晶粒表面和B晶粒够小以提供限域生长这两点即可用来制备超薄二维材料，且可根据需求调节A和B的种类来合成不同种类的超薄二维材料。另外，可以通过调节A与B的比例来控制2D材料的厚度。这是其他盐辅助制备二维材料方法所不具备的，且具有广泛的适用性。

公开(公告)号：CN112062155A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010870635.2

申请日：2020-08-26

申请人： 广东工业大学

发明人： 李娜 ,  刘少锋 ,  吴序豪

IPC分类号： C01G31/00 ,  C01G45/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明属于二维材料制备技术领域，具体涉及一种限域生长的超薄二维材料及其制备方法。本发明以一种小剂量的反应物A均匀分散于另一种大剂量反应物晶体粉末B表面上，得到混合物；然后采用水热法，使均匀分散的混合物反应，形成具有超薄结构的二维材料，即为限域生长的超薄二维材料。与现有类似的盐辅助制备二维材料的技术相比，本发明方法只要符合A可均匀分散于B晶粒表面和B晶粒够小以提供限域生长这两点即可用来制备超薄二维材料，且可根据需求调节A和B的种类来合成不同种类的超薄二维材料。另外，可以通过调节A与B的比例来控制2D材料的厚度。这是其他盐辅助制备二维材料方法所不具备的，且具有广泛的适用性。