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公开(公告)号：CN117328113A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311336129.5
申请日：2023-10-16
申请人： 广东省广新离子束科技有限公司 , 顺束科技(天津)合伙企业(有限合伙)
摘要： 本发明公开了一种金属化膜酸性镀铜工艺及应用，包括以下步骤：使用过预处理剂对基材润湿清洗，基材表面形成保护膜；基材进入电镀液内，保护膜脱离基材，在基材表面的种子层上沉积铜，形成基底；采用高电流电解沉铜和低电流电解沉铜按时间比例低于1:2来交替进行电解沉积铜，在基底上继续沉积铜；电流密度稳定为2.0～4.0A/dm2，通过沉积铜时间调节沉积铜的铜总厚度。本发明在基材表面形成保护膜，有效保护基材表面纳米铜不受环境氧化或酸侵蚀，进入电镀液中分子保护膜发生反应后快速脱离，电镀过程分阶段实施，对可能存在的针孔进行填补，降低针孔数量，有效解决了针孔过多过大以及产品翘曲严重的问题。
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公开(公告)号：CN117230450B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311192096.1
申请日：2023-09-15
申请人： 广东省广新离子束科技有限公司 , 顺束科技(天津)合伙企业(有限合伙)
摘要： 本发明属于线路板蚀刻领域，具体公开一种镍铬合金蚀刻液及其在预制线路板中的应用，包含镍铬合金活化剂和镍铬合金蚀刻剂，所述镍铬合金活化剂，以镍铬合金活化剂总重量计，包括以下重量百分数组分：浓盐酸2％‑15％、阴离子表面活性剂0.1％‑1％、去离子水补齐余量；所述镍铬合金蚀刻剂，以镍铬合金蚀刻剂的总重量计，包括以下重量百分数组分：浓硝酸1％‑10％、浓硫酸1％‑5％、硝酸铈铵1％‑3％、铜缓蚀剂0.1％‑5％、非离子表面活性剂0.1％‑0.5％、离子水补齐余量。本发明提供的镍铬合金蚀刻液可以快速润湿精细线路，与镍铬合金层发生反应，蚀刻镍铬合金层速度快，抑制铜线蚀刻，而不产生侧蚀或微小侧蚀，对于含有镍铬合金层的精细线路线路板特别适用，且可适配连续蚀刻生产线使用。
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公开(公告)号：CN117230450A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311192096.1
申请日：2023-09-15
申请人： 广东省广新离子束科技有限公司 , 顺束科技(天津)合伙企业(有限合伙)
摘要： 本发明属于线路板蚀刻领域，具体公开一种镍铬合金蚀刻液及其在预制线路板中的应用，包含镍铬合金活化剂和镍铬合金蚀刻剂，所述镍铬合金活化剂，以镍铬合金活化剂总重量计，包括以下重量百分数组分：浓盐酸2％‑15％、阴离子表面活性剂0.1％‑1％、去离子水补齐余量；所述镍铬合金蚀刻剂，以镍铬合金蚀刻剂的总重量计，包括以下重量百分数组分：浓硝酸1％‑10％、浓硫酸1％‑5％、硝酸铈铵1％‑3％、铜缓蚀剂0.1％‑5％、非离子表面活性剂0.1％‑0.5％、离子水补齐余量。本发明提供的镍铬合金蚀刻液可以快速润湿精细线路，与镍铬合金层发生反应，蚀刻镍铬合金层速度快，抑制铜线蚀刻，而不产生侧蚀或微小侧蚀，对于含有镍铬合金层的精细线路线路板特别适用，且可适配连续蚀刻生产线使用。
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公开(公告)号：CN117328113B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202311336129.5
申请日：2023-10-16
申请人： 顺束科技(天津)合伙企业(有限合伙)
摘要： 本发明公开了一种金属化膜酸性镀铜工艺及应用，包括以下步骤：使用过预处理剂对基材润湿清洗，基材表面形成保护膜；基材进入电镀液内，保护膜脱离基材，在基材表面的种子层上沉积铜，形成基底；采用高电流电解沉铜和低电流电解沉铜按时间比例低于1:2来交替进行电解沉积铜，在基底上继续沉积铜；电流密度稳定为2.0～4.0A/dm2，通过沉积铜时间调节沉积铜的铜总厚度。本发明在基材表面形成保护膜，有效保护基材表面纳米铜不受环境氧化或酸侵蚀，进入电镀液中分子保护膜发生反应后快速脱离，电镀过程分阶段实施，对可能存在的针孔进行填补，降低针孔数量，有效解决了针孔过多过大以及产品翘曲严重的问题。
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