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公开(公告)号：CN106354694B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201610812022.7
申请日：2016-09-09
申请人： 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院 , 广州智慧城市发展研究院 , 中山大学
摘要： 本发明公开了一种基于Type A的冲突位防冲突方法，其中，方法包括：卡片接收到读写器发送的SEL+NVB命令后，卡片向读写器依次发送UID数据；读写器接收UID数据，同时判断UID数据是否存在冲突；若存在，识别UID冲突位T+1，将T+1的值写入ANTI的低7个字节；读写器发送SEL+ANTI防冲突命令向卡片反馈ANTI的低7个字节为UID数据的T+1位；卡片根据SEL+ANTI防冲突命令对第T+1位进行判断，判断T+1是否为1，若是则从T+1位开始发送UID，否则进入闲置状态；若不存在，完成接收UID数据。在本发明中，通过加入一个ANTI命令与原有的SEL搭配使用，减少数据量的发送。
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公开(公告)号：CN106354694A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610812022.7
申请日：2016-09-09
CPC分类号： G06F17/141 , G06F9/30007
摘要： 本发明公开了一种基于Type A的冲突位防冲突方法，其中，方法包括：卡片接收到读写器发送的SEL+NVB命令后，卡片向读写器依次发送UID数据；读写器接收UID数据，同时判断UID数据是否存在冲突；若存在，识别UID冲突位T+1，将T+1的值写入ANTI的低7个字节；读写器发送SEL+ANTI防冲突命令向卡片反馈ANTI的低7个字节为UID数据的T+1位；卡片根据SEL+ANTI防冲突命令对第T+1位进行判断，判断T+1是否为1，若是则从T+1位开始发送UID，否则进入闲置状态；若不存在，完成接收UID数据。在本发明中，通过加入一个ANTI命令与原有的SEL搭配使用，减少数据量的发送。
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公开(公告)号：CN106503600B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201610814091.1
申请日：2016-09-09
申请人： 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院 , 中山大学
IPC分类号： G06K7/10
摘要： 本发明提供一种基于时序的RFID主动防冲突方法，该方法采用RFID卡自动发送方式，RFID读写器在成功接收到一个RFID卡的响应命令ATQC后，可以选择发送WTRD命令，使所有卡片进入Ready状态，停止其他卡片的发送，然后选中刚才接到响应命令ATQC代表的那张RFID卡进行操作，也可以不发送WTRD命令，继续接收卡片数据，完成对射频场内所有卡的寻卡；在RFID读写器读多张RFID卡时RFID读写器只存储有效的ATQC，而且RFID读写器在发送读卡REQC命令后，在接收到有效的相应命令ATQC前都不需要再发送命令了，节约了发送命令的时间，同时也节约了发送和接收的数据量节约了存储空间。
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公开(公告)号：CN106503600A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610814091.1
申请日：2016-09-09
申请人： 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院 , 中山大学
IPC分类号： G06K7/10
CPC分类号： G06K7/10019
摘要： 本发明提供一种基于时序的RFID主动防冲突方法，该方法采用RFID卡自动发送方式，RFID读写器在成功接收到一个RFID卡的响应命令ATQC后，可以选择发送WTRD命令，使所有卡片进入Ready状态，停止其他卡片的发送，然后选中刚才接到响应命令ATQC代表的那张RFID卡进行操作，也可以不发送WTRD命令，继续接收卡片数据，完成对射频场内所有卡的寻卡；在RFID读写器读多张RFID卡时RFID读写器只存储有效的ATQC，而且RFID读写器在发送读卡REQC命令后，在接收到有效的相应命令ATQC前都不需要再发送命令了，节约了发送命令的时间，同时也节约了发送和接收的数据量节约了存储空间。
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公开(公告)号：CN106855732B
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201611221434.X
申请日：2016-12-26
申请人： 中山大学 , 广州智慧城市发展研究院
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开了一种超低功耗基准电压源电路系统，其中，所述基准电压源电路系统包括：PTAT电流产生电路和负载电路，所述PTAT电流产生电路与所述负载电路一端相连接，基准电压由所述负载电路输出。本发明基于具有负温度系数的阈值电压和具有正温度系数的热电压来设计电路，电路结构全部由MOS晶体管构成，没有使用三极管，符合标准CMOS工艺，同时没有使用电阻也大大减小了芯片面积，此外，本发明输出的基准电压源低于1V，室温下功耗不到20nW，符合低功耗低电源电压要求。
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公开(公告)号：CN106681425A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611222677.5
申请日：2016-12-27
申请人： 广州智慧城市发展研究院 , 中山大学
IPC分类号： G05F3/26
CPC分类号： G05F3/262
摘要： 本发明公开了一种电流平方转换电路系统，其中，所述电流平方转换电路包括：固定电压产生电路、电流平方电路；其中，所述固定电压产生电路包括固定电压输出端和电路输出端，所述固定电压产生电路用于为所述电流平方电路提供固定电压；所述电流平方电路与所述固定电压产生电路相连接，所述电流平方电路输出电流与输入电路形成平方关系。在本发明实施例中，使用两个P型场效应管组成固定电压产生电路，用于给电流平方电路提供固定电压，使用三个P型场效应管组成电流平方电路，最后用一组电流镜将电流输出，本发明电路结构简单，芯片面积小，采用的是标准CMOS工艺。
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公开(公告)号：CN106899273A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201611222669.0
申请日：2016-12-27
申请人： 广州智慧城市发展研究院 , 中山大学
IPC分类号： H03F3/45
CPC分类号： H03F3/45179
摘要： 本发明公开了一种线性跨导转换电路系统，其中，所述线性跨导转换电路系统包括：线性跨导转换电路；其中，所述线性跨导转换电路包括电压输入端和电路输出端，所述线性跨导转换电路用于将所述输入电压线性的转换为所述输出电流。在本发明实施例中，将电压信号分别输入到N场效应管的源极和P场效应管栅极，并对N场效应管和P场效应管的跨导参数进行相同的设置，利用N场效应管和P场效应管的阈值电压不同，将N场效应管和P场效应管上的电流相减，得到的输出电流与输入电压呈线性关系，采用的是CMOS工艺，在CMOS工艺中场效应管的电压与电流是平方关系，因此不能直接用于线性跨导，本发明所使用的方法很好的解决了这种问题。
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公开(公告)号：CN106484018A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610872269.8
申请日：2016-09-29
申请人： 广州智慧城市发展研究院 , 中山大学
IPC分类号： G05F1/56
CPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明实施例公开了基准电压源电路系统及电源装置，应用于电子电路技术领域。本发明实施例的系统中，使用n个N型场效应管之间的相互连接，可以输出负温度系数的电压，而将输出的电压再连接正温度系数电路12，可以对上述输出的电压进行补偿，从而可以输出与温度无关的电压，以对其它电子器件进行供电。本实施例中采用的是N型场效应管，避免了使用二极管或者三极管带来的与标准CMOS工艺不兼容的问题，且本实施例中输出的与温度无关的电压可以低于0.8V，符合当今电子设备低电源电压和低功耗的发展趋势。
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公开(公告)号：CN106899273B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201611222669.0
申请日：2016-12-27
申请人： 广州智慧城市发展研究院 , 中山大学
IPC分类号： H03F3/45
摘要： 本发明公开了一种线性跨导转换电路系统，其中，所述线性跨导转换电路系统包括：线性跨导转换电路；其中，所述线性跨导转换电路包括电压输入端和电路输出端，所述线性跨导转换电路用于将所述输入电压线性的转换为所述输出电流。在本发明实施例中，将电压信号分别输入到N场效应管的源极和P场效应管栅极，并对N场效应管和P场效应管的跨导参数进行相同的设置，利用N场效应管和P场效应管的阈值电压不同，将N场效应管和P场效应管上的电流相减，得到的输出电流与输入电压呈线性关系，采用的是CMOS工艺，在CMOS工艺中场效应管的电压与电流是平方关系，因此不能直接用于线性跨导，本发明所使用的方法很好的解决了这种问题。
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公开(公告)号：CN106855732A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201611221434.X
申请日：2016-12-26
申请人： 中山大学 , 广州智慧城市发展研究院
IPC分类号： G05F1/56
CPC分类号： G05F1/561
摘要： 本发明公开了一种超低功耗基准电压源电路系统，其中，所述基准电压源电路系统包括：PTAT电流产生电路和负载电路，所述PTAT电流产生电路与所述负载电路一端相连接，基准电压由所述负载电路输出。本发明基于具有负温度系数的阈值电压和具有正温度系数的热电压来设计电路，电路结构全部由MOS晶体管构成，没有使用三极管，符合标准CMOS工艺，同时没有使用电阻也大大减小了芯片面积，此外，本发明输出的基准电压源低于1V，室温下功耗不到20nW，符合低功耗低电源电压要求。
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