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公开(公告)号：CN118006329A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311808066.9
申请日：2023-12-26
摘要： 本发明涉及无机发光材料技术领域，具体涉及一种镥钙铟镓锆石榴石基蓝光荧光粉及其应用。所述荧光粉的化学组成表示式为：Lu2(1‑x)Tm2xCaInGa3ZrO12，其中0≤x＜1；合成所述荧光粉，仅需反应3～4h成相，且合成过程无特定压强、气氛要求，具有制备过程简便、所需能耗低等优点，得到的产品结晶性完好，发光亮度高，荧光寿命短。所述荧光粉被350～370nm之间的紫外光激发，发射峰为位于430～475nm之间的蓝光，可用于口腔光固化和紫外LED芯片激发的蓝光转换材料领域；在X‑射线辐照结束后发光仍能持续，余辉发光时间为5s，可应用于高能射线探测及发光防伪识别领域。
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公开(公告)号：CN118064149A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202311808296.5
申请日：2023-12-26
摘要： 本发明涉及无机发光材料技术领域，具体涉及一种钆钙铟镓锆石榴石基蓝光荧光粉及其应用。所述荧光粉的化学组成表示式为：Gd2(1‑x)Bi2xCaInGa3ZrO12，其中0≤x＜1；所述荧光粉结晶性完好，发光亮度高，荧光寿命短，可被250～310nm之间的紫外光激发，发射峰主峰位于430nm，发光峰波长范围为400～650nm，可用作紫外LED芯片激发的蓝光转换材料及口腔光固化领域等领域。制备时烧结的温度较低，合成时间短，且合成过程无特定压强、气氛要求，制备过程简便、所需能耗低等优点。在X‑射线辐照结束后发光仍能持续，余辉发光时间为5s，可用于口腔光固化和紫外LED芯片激发的蓝光转换材料等领域。
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公开(公告)号：CN118006333A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311808295.0
申请日：2023-12-26
摘要： 本发明属于无机发光材料技术领域，具体涉及一种钐钙钪镓锆基橙红光荧光粉及其应用。所述荧光粉的化学组成表示式为：Sm2(1‑x)Y2xCaScGa3ZrO12，其中0≤x＜1，其合成过程无特定压强、气氛要求，具有合成时间短、制备过程简便、所需能耗低等优点。本发明的荧光粉，Sm3+离子表现强烈的红色发光，可被305～505nm之间的紫外、蓝光和X‑射线激发，发射最强峰为617nm，可用于口腔红光治疗仪、红光LED器件、眼睛哺光仪、植物照明、高能射线探测等领域。在X‑射线辐照结束后发光仍能持续20s，可用于高能射线探测及发光防伪识别领域。
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公开(公告)号：CN118006332A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311808291.2
申请日：2023-12-26
摘要： 本发明属于无机发光材料技术领域，具体涉及一种铽钙铟镓锆石榴石基长余辉绿光荧光粉及其应用。所述荧光粉化学组成表示式为：Tb2(1‑x)Gd2xCaInGa3ZrO12，其中0≤x＜1，其合成过程无特定压强、气氛要求，具有合成时间短、制备过程简便、所需能耗低等优点。本发明的荧光粉可被250～325nm之间的宽带和350～380nm之间的窄带激发，最强发射为543nm窄带绿光，同时在475～500nm之间具有较强的发光。可用于口腔光固化、紫外‑近紫外LED芯片激发的绿光转换材料领域，在X‑射线辐照结束后发光仍能持续10s，可用于高能射线探测及荧光防伪识别领域。
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公开(公告)号：CN118006330A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311808072.4
申请日：2023-12-26
摘要： 本发明属于无机发光材料技术领域，具体涉及一种镝钙铟镓锆石榴石基蓝光‑黄光长余辉荧光粉及其制备方法和应用。所述荧光粉的化学组成表示式为：Dy2(1‑x)Lu2xCaInGa3ZrO12，其中0≤x＜1，具有发光亮度高、荧光寿命短等优点，可被280～480nm之间的紫外‑蓝光激发，发射主峰位于581nm黄光，同时在475～500nm之间具有较强的双峰发射；在X‑射线辐照结束后发光仍能持续，余辉发光时间为5s。且合成方法简单，合成时间短，且合成过程无特定压强、气氛要求，所需能耗低；可用于口腔光固化、LED器件、高能射线探测及发光防伪识别等领域。
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公开(公告)号：CN118006331A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311808289.5
申请日：2023-12-26
摘要： 本发明属于无机发光材料技术领域，具体涉及一种铕钙铟镓锆石榴石基红光‑深红光荧光粉及其应用。所述荧光粉的化学组成表示式为：Eu2(1‑x)La2xCaInGa3ZrO12，其中0≤x＜1，其合成过程无特定压强、气氛要求，具有合成时间短、制备过程简便、所需能耗低等优点。本发明的荧光粉，可被250～300nm之间的宽带、300～410nm之间的窄带和X‑射线激发，最强发射主峰出现在710nm深红光，伴有575～650nm橙至红光的多峰窄带发光，可应用于口腔红光治疗仪、紫外LED芯片激发的红光‑深红光转换材料、植物生长照明、眼睛哺光仪等领域。
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