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公开(公告)号：CN104062692A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410324216.3
申请日：2014-07-08
CPC分类号： Y02A90/342
摘要： 本发明是一种高精度海底地热流探测设备。包括有压力保护管、电子仪器舱、透明保护罩、绝热杆、发热元件、双色LED、光敏元件、充电感应线圈、若干热敏电阻，其中压力保护管装设在电子仪器舱的一侧，绝热杆装设在压力保护管内，若干热敏电阻安装在绝热杆上，发热元件安装在绝热杆的顶端，三轴加速度传感器装设在电子仪器舱内，双色LED、光敏元件、充电感应线圈装设在电子仪器舱的外侧，且双色LED、光敏元件、充电感应线圈的外侧装设有透明保护罩，发热元件、双色LED、光敏元件、充电感应线圈、三轴加速度传感器通过导线与安装在电子仪器舱内的控制装置连接。本发明通过双色LED指示设备的倾角变化，方便操控，提高数据采集的有效率。
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公开(公告)号：CN104062691B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201410324194.0
申请日：2014-07-08
摘要： 本发明是一种用于测量海底表层地热参数的高精度海底地温梯度探测设备。包括有压力保护管、绝热杆、绝缘体、双色LED、电子仪器舱壳体、充电感应线圈、若干热敏电阻，其中电子仪器舱壳体的中空腔体为电子仪器舱，绝缘体装设在电子仪器舱的一侧，压力保护管支承在绝缘体上，绝热杆装设在压力保护管内，若干热敏电阻安装在绝热杆上，三轴加速度传感器装设在电子仪器舱内，双色LED、充电感应线圈装设在电子仪器舱的外侧，且双色LED、充电感应线圈的外侧装设有透明保护罩，双色LED、充电感应线圈、若干热敏电阻、三轴加速度传感器通过导线与安装在电子仪器舱内的控制装置连接。本发明通过双色LED指示设备的倾角变化，方便操控，提高数据采集的有效率。
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公开(公告)号：CN104062692B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410324216.3
申请日：2014-07-08
CPC分类号： Y02A90/342
摘要： 本发明是一种高精度海底地热流探测设备。包括有压力保护管、电子仪器舱、透明保护罩、绝热杆、发热元件、双色LED、光敏元件、充电感应线圈、若干热敏电阻，其中压力保护管装设在电子仪器舱的一侧，绝热杆装设在压力保护管内，若干热敏电阻安装在绝热杆上，发热元件安装在绝热杆的顶端，三轴加速度传感器装设在电子仪器舱内，双色LED、光敏元件、充电感应线圈装设在电子仪器舱的外侧，且双色LED、光敏元件、充电感应线圈的外侧装设有透明保护罩，发热元件、双色LED、光敏元件、充电感应线圈、三轴加速度传感器通过导线与安装在电子仪器舱内的控制装置连接。本发明通过双色LED指示设备的倾角变化，方便操控，提高数据采集的有效率。
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公开(公告)号：CN104062691A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410324194.0
申请日：2014-07-08
摘要： 本发明是一种用于测量海底表层地热参数的高精度海底地温梯度探测设备。包括有压力保护管、绝热杆、绝缘体、双色LED、电子仪器舱壳体、充电感应线圈、若干热敏电阻，其中电子仪器舱壳体的中空腔体为电子仪器舱，绝缘体装设在电子仪器舱的一侧，压力保护管支承在绝缘体上，绝热杆装设在压力保护管内，若干热敏电阻安装在绝热杆上，三轴加速度传感器装设在电子仪器舱内，双色LED、充电感应线圈装设在电子仪器舱的外侧，且双色LED、充电感应线圈的外侧装设有透明保护罩，双色LED、充电感应线圈、若干热敏电阻、三轴加速度传感器通过导线与安装在电子仪器舱内的控制装置连接。本发明通过双色LED指示设备的倾角变化，方便操控，提高数据采集的有效率。
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公开(公告)号：CN105316003A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510805839.7
申请日：2015-11-20
申请人： 广东工业大学
IPC分类号： C09K19/54
摘要： 本发明是一种柔性太阳能保温液晶聚合物薄膜及其制作方法。包括有如下组份：液晶占比58.5%～78.5%、偶氮染料占比1%～3%、聚合物占比19.5～39.5%。本发明柔性太阳能保温液晶聚合物薄膜的制备方法，包括如下步骤：1）将液晶、偶氮染料、聚合物预聚体在暗室中或红光下充分混合均匀；2）涂布成厚度为10-500um的液膜；3）用紫外光照射0.5-30分钟，引发聚合反应，使液晶和偶氮染料形成微滴分布在聚合物中，制得柔性太阳能保温液晶聚合物薄膜。本发明制备的柔性太阳能保温液晶聚合物薄膜，在太阳光中高能光的照射下，能加温薄膜覆盖下的物体和空气；在夜间无太阳光时，对于薄膜覆盖下物体散发的红外线进行反射，从而减少能量损失，达到更佳的保温效果。
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公开(公告)号：CN103325415A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310234057.3
申请日：2013-06-14
申请人： 广东工业大学
摘要： 本发明公开了一种基于半导体杂质掺杂的胆甾相液晶的光存储器。其包括液晶层（1），液晶层（1）的上表面从下到上依次设有上PI取向层（2）、上ITO电极（3）、上玻璃基板（4），液晶层（1）的下表面从上到上依次设有下PI取向层（5）、下ITO电极（6）下玻璃基板（7），所述液晶层（1）的液晶为纳米棒状ZnO颗粒掺杂的胆甾相液晶，所述纳米棒状ZnO颗粒的直径为5-10nm，长度为30-50nm，掺杂浓度为重量百分比0.1%。本发明则对记录介质进行了改进，使用半导体杂质对胆甾相液晶进行掺杂来实现光折变功能，能够对光信号灵敏地响应并记录，并利用胆甾相液晶的双稳态畴来存储光信息。本发明还公开了一种采用如上所述的光存储器进行光信号存储的方法。
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公开(公告)号：CN103325415B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310234057.3
申请日：2013-06-14
申请人： 广东工业大学
摘要： 本发明公开了一种基于半导体杂质掺杂的胆甾相液晶的光存储器。其包括液晶层（1），液晶层（1）的上表面从下到上依次设有上PI取向层（2）、上ITO电极（3）、上玻璃基板（4），液晶层（1）的下表面从上到上依次设有下PI取向层（5）、下ITO电极（6）下玻璃基板（7），所述液晶层（1）的液晶为纳米棒状ZnO颗粒掺杂的胆甾相液晶，所述纳米棒状ZnO颗粒的直径为5?10nm，长度为30?50nm，掺杂浓度为重量百分比0.1%。本发明则对记录介质进行了改进，使用半导体杂质对胆甾相液晶进行掺杂来实现光折变功能，能够对光信号灵敏地响应并记录，并利用胆甾相液晶的双稳态畴来存储光信息。本发明还公开了一种采用如上所述的光存储器进行光信号存储的方法。
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