公开(公告)号：CN111103915B

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN201910650910.7

申请日：2019-07-18

申请人： 广州润芯信息技术有限公司

发明人： 王日炎 ,  周伶俐 ,  朱智勇 ,  贺黉胤 ,  何俊良

IPC分类号： G05F1/56

摘要： 本发明公开了一种直流失调消除电路包括电阻R1至电阻R7、运算放大器OPA1、运算放大器OPA2、电容C1、电容C2、MOS管NMOS1、MOS管NMOS2、第一MOS管串联电阻以及第二MOS管串联电阻，第一MOS管串联电阻的栅极连接基准电压，第二MOS管串联电阻的漏极连接MOS管NMOS2的栅极，第二MOS管串联电阻的源极连接MOS管NMOS2的源极，第二MOS管串联电阻的栅极连接基准电压。本发明增加栅源短接的MOS管NMOS1和MOS管NMOS2作为共模电压快速建立支路，MOS管串联电阻替代传统结构中的大电阻，可以明显减小芯片面积。

公开(公告)号：CN111103915A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201910650910.7

申请日：2019-07-18

申请人： 广州润芯信息技术有限公司

发明人： 王日炎 ,  周伶俐 ,  朱智勇 ,  贺黉胤 ,  何俊良

IPC分类号： G05F1/56

摘要： 本发明公开了一种直流失调消除电路包括电阻R1至电阻R7、运算放大器OPA1、运算放大器OPA2、电容C1、电容C2、MOS管NMOS1、MOS管NMOS2、第一MOS管串联电阻以及第二MOS管串联电阻，第一MOS管串联电阻的栅极连接基准电压，第二MOS管串联电阻的漏极连接MOS管NMOS2的栅极，第二MOS管串联电阻的源极连接MOS管NMOS2的源极，第二MOS管串联电阻的栅极连接基准电压。本发明增加栅源短接的MOS管NMOS1和MOS管NMOS2作为共模电压快速建立支路，MOS管串联电阻替代传统结构中的大电阻，可以明显减小芯片面积。

公开(公告)号：CN210864452U

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201921137295.1

申请日：2019-07-18

申请人： 广州润芯信息技术有限公司

发明人： 王日炎 ,  周伶俐 ,  朱智勇 ,  贺黉胤 ,  何俊良

IPC分类号： G05F1/56

摘要： 本实用新型公开了一种直流失调消除电路包括电阻R1至电阻R7、运算放大器OPA1、运算放大器OPA2、电容C1、电容C2、MOS管NMOS1、MOS管NMOS2、第一MOS管串联电阻以及第二MOS管串联电阻，第一MOS管串联电阻的栅极连接基准电压，第二MOS管串联电阻的漏极连接MOS管NMOS2的栅极，第二MOS管串联电阻的源极连接MOS管NMOS2的源极，第二MOS管串联电阻的栅极连接基准电压。本实用新型增加栅源短接的MOS管NMOS1和MOS管NMOS2作为共模电压快速建立支路，MOS管串联电阻替代传统结构中的大电阻，可以明显减小芯片面积。