公开(公告)号：CN117845190A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410003896.2

申请日：2024-01-03

申请人： 广西大学

发明人： 熊伟明 ,  单楷涵 ,  孟伟婷 ,  吴琼 ,  王迪 ,  江文瑜

IPC分类号： C23C16/40 ,  H01L29/66 ,  H01L29/24 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08

摘要： 本发明公开了一种实现易转移超长VO2纳米线的化学气相沉积(CVD)制备方法及场效应管器件集成应用。所述制备方法包括以下步骤：使用Si/SiO2基片作为衬底，以V2O5粉末作为前驱物，将前驱物和基片分别放置在CVD管式炉的中心热源的左右两侧7‑9cm处，前驱物、基片间距超过15cm；调节CVD管式炉的气体流速及沉积气压，缓慢升高温度至成核生长温度，随后保持一段时间进行成核与生长，生长完成后自然冷却至室温，即可获得易转移超长VO2纳米线。本发明通过调控化学气相沉积的生长参数，实现了制备出易转移的超长VO2纳米线，尤其通过本发明生长出来的VO2纳米线质量高，具有非常好的结晶度和均匀性。