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公开(公告)号:CN107636817B
公开(公告)日:2021-08-27
申请号:CN201680023970.0
申请日:2016-01-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本文所述的实施方式提供一种用于处理基板支撑组件上的基板的方法,该方法实现静电夹具与基板之间的热传递的横向与方位角两者上的调整。该方法包括下述步骤:使用ESC上的第一温度分布来处理第一基板,ESC具有主加热器与空间上可调整的加热器。从处理第一基板的结果来确定偏离目标结果分布的偏移分布。基于偏移分布,将第一温度分布调整为ESC上的第二温度分布。调整为第二温度分布包括:递增提供给对应于偏移分布的一个或更多个离散位置中的一个或更多个空间上可调整的加热器的功率。然后使用第二温度分布来处理ESC上的第二基板。
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公开(公告)号:CN113675115A
公开(公告)日:2021-11-19
申请号:CN202110960034.5
申请日:2016-01-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本文所述的实施方式提供一种用于处理基板支撑组件上的基板的方法,该方法实现静电夹具与基板之间的热传递的横向与方位角两者上的调整。该方法包括下述步骤:使用ESC上的第一温度分布来处理第一基板,ESC具有主加热器与空间上可调整的加热器。从处理第一基板的结果来确定偏离目标结果分布的偏移分布。基于偏移分布,将第一温度分布调整为ESC上的第二温度分布。调整为第二温度分布包括:递增提供给对应于偏移分布的一个或更多个离散位置中的一个或更多个空间上可调整的加热器的功率。然后使用第二温度分布来处理ESC上的第二基板。
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公开(公告)号:CN109643678A
公开(公告)日:2019-04-16
申请号:CN201780052125.0
申请日:2017-08-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本文公开了用于具有共享真空系统的多腔室处理系统的方法和装置。在一些实施例中,一种用于处理基板的多腔室处理系统包括:第一处理腔室、第二处理腔室、第一真空系统、及第二真空系统,第一真空系统通过第一阀和第二阀耦接到第一处理腔室和第二处理腔室,且第一真空系统耦接到第一共享真空泵,第二真空系统通过第三阀和第四阀耦接到第一处理腔室和第二处理腔室,且第二真空系统耦接到第二共享真空泵,其中第二真空系统流体独立于第一真空系统。
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公开(公告)号:CN107636817A
公开(公告)日:2018-01-26
申请号:CN201680023970.0
申请日:2016-01-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67248
Abstract: 本文所述的实施方式提供一种用于处理基板支撑组件上的基板的方法,该方法实现静电夹具与基板之间的热传递的横向与方位角两者上的调整。该方法包括下述步骤:使用ESC上的第一温度分布来处理第一基板,ESC具有主加热器与空间上可调整的加热器。从处理第一基板的结果来确定偏离目标结果分布的偏移分布。基于偏移分布,将第一温度分布调整为ESC上的第二温度分布。调整为第二温度分布包括:递增提供给对应于偏移分布的一个或更多个离散位置中的一个或更多个空间上可调整的加热器的功率。然后使用第二温度分布来处理ESC上的第二基板。
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