专利检索 ap:("应用纳米技术控股股份有限公司") AND inv:"P·弗格森" 第 1 页

1.

发明公开
烧穿制剂无效

公开(公告)号：CN103797088A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201280031223.3

申请日：2012-05-08

申请人： 应用纳米技术控股股份有限公司

发明人： O·阿拜德 , 李运钧 , J·P·诺瓦克 , S·金 , P·弗格森

IPC分类号： C09K13/00

CPC分类号： H01B1/02 , H01L31/022425 , Y02E10/50 , Y10S977/773

摘要： 对于太阳能电池制造，向可印刷介质添加前体以辅助蚀刻穿过氮化硅或氧化硅层，从而得到与在氮化物或氧化物层之下的基材的接触。蚀刻机制可能是通过原位形成的熔融的陶瓷、基于氟化物的蚀刻和两者的结合。