纯化聚烷基硅氧烷的方法及所得产物

    公开(公告)号:CN1152079C

    公开(公告)日:2004-06-02

    申请号:CN96109608.X

    申请日:1996-08-30

    摘要: 本发明涉及一种纯化的聚烷基硅氧烷组合物,它在常压下的沸点低于250℃,其中所含常压下沸点高于250℃的高沸点杂质,包括硅氧烷和以硅烷醇为末端的硅氧烷,其总浓度低于14ppm。本发明还涉及一种制备纯化的聚烷基硅氧烷组合物的方法,制得的纯化的聚烷基硅氧烷组合物在常压下的沸点低于250℃,该方法包括蒸馏一种聚烷基硅氧烷起始材料,该起始材料所含常压下沸点高于250℃的高沸点杂质的总浓度至少为14ppm,蒸馏条件能有效地产生常压下沸点低于250℃的纯化的聚烷基硅氧烷组合物,使其中所含常压下沸点高于250℃的高沸点杂质的总浓度低于14ppm。在较佳实施例中,低沸点组分(包括硅烷醇以及较好也包括六甲基环丁硅氧烷)被减少至100ppm以下。本发明还涉及将所述纯化的聚烷基硅氧烷组合物转化为熔凝石英玻璃的生产方法。

    纯化聚烷基硅氧烷的方法及所得产物

    公开(公告)号:CN1153795A

    公开(公告)日:1997-07-09

    申请号:CN96109608.X

    申请日:1996-08-30

    IPC分类号: C08L83/04

    摘要: 本发明涉及一种纯化的聚烷基硅氧烷组合物,它在常压下的沸点低于250℃,其中所含常压下沸点高于250℃的高沸点杂质,包括硅氧烷和以硅烷醇为末端的硅氧烷,其总浓度低于14ppm。本发明还涉及一种制备纯化的聚烷基硅氧烷组合物的方法,制得的纯化的聚烷基硅氧烷组合物在常压下的沸点低于250℃,该方法包括蒸馏一种聚烷基硅氧烷起始材料,该起始材料所含常压下沸点高于250℃的高沸点杂质的总浓度至少为14ppm,蒸馏条件能有效地产生常压下沸点低于250℃的纯化的聚烷基硅氧烷组合物,使其中所含常压下沸点高于250℃的高沸点杂质的总浓度低于14ppm。在较佳实施例中,低沸点组分(包括硅烷醇以及较好也包括六甲基环丁硅氧烷)被减少到100ppm以下。本发明还涉及将所述纯化的聚烷基硅氧烷组合物转化为熔凝石英玻璃的生产方法。