公开(公告)号：CN105658554A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201380055236.9

申请日：2013-10-22

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： S·M·加纳 ,  R·J·科勒 ,  S·C·刘易斯 ,  L·B·辛普森 ,  田丽莉

IPC: B65H19/18

CPC classification number: B65H69/06 ,  B65H19/18 ,  B65H19/1852 ,  B65H2301/4621 ,  B65H2301/4631 ,  B65H2801/61 ,  B65H2801/87 ,  C03B33/02 ,  C03B33/0235 ,  C03B33/074 ,  Y10T83/0405 ,  Y10T428/18 ,  Y10T428/19 ,  Y10T428/192 ,  Y10T428/24273

Abstract: 玻璃网包括第一玻璃网部分(30)、第二部分(40)以及将第一玻璃网部分和第二部分相连的拼接接合件(50)，其中，所述拼接接合件包括具有至少一个可透气附连部分的拼接元件(60)。在其他例子中，拼接第一玻璃网部分和第二部分的方法包括如下步骤：用拼接元件来拼接第一玻璃网部分和第二部分，其中拼接步骤包括将拼接元件的可透气附连部分与第一玻璃网部分附连。

公开(公告)号：CN105051244B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201380063481.4

申请日：2013-10-04

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： R·A·贝尔曼 ,  J·C·克拉克 ,  P·A·萨琴科 ,  L·B·辛普森 ,  田丽莉

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01B1/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3485 ,  H01B5/14 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/24355

Abstract: 批露了通过脉冲DC使用氧化物靶在透明基片上沉积的AZO膜，其组成范围是0.5‑2重量％Al2O3,理想地在大于325℃的温度下进行沉积,所得膜显示包括从膜顶部延伸到膜底部的柱的柱状晶粒结构,和小的横向晶粒尺寸(小于70nm，从基片到膜顶部)。所得膜具有低电阻率，厚度小于400nm时小于10欧姆/平方,理想地电阻率在最高达450℃的温度下退火时不改变。

公开(公告)号：CN105051244A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201380063481.4

申请日：2013-10-04

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： R·A·贝尔曼 ,  J·C·克拉克 ,  P·A·萨琴科 ,  L·B·辛普森 ,  田丽莉

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01B1/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3485 ,  H01B5/14 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/24355

Abstract: 批露了通过脉冲DC使用氧化物靶在透明基片上沉积的AZO膜，其组成范围是0.5-2重量％Al2O3,理想地在大于325℃的温度下进行沉积,所得膜显示包括从膜顶部延伸到膜底部的柱的柱状晶粒结构,和小的横向晶粒尺寸(小于70nm，从基片到膜顶部)。所得膜具有低电阻率，厚度小于400nm时小于10欧姆/平方,理想地电阻率在最高达450℃的温度下退火时不改变。