磁斯格明子过滤器及包括其的磁器件和电子设备

    公开(公告)号:CN117279482A

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202311247954.8

    申请日:2023-09-26

    申请人: 延边大学

    IPC分类号: H10N52/80 H10B61/00

    摘要: 本发明涉及磁斯格明子过滤器及包括其的磁器件和电子设备。一种斯格明子过滤器可包括:输入部分,用于接收各种类斯格明子自旋织构的输入;输出部分,用于输出过滤后的斯格明子;以及过滤通道,设置在所述输入部分与所述输出部分之间以连接所述输入部分和所述输出部分,其中在与所述斯格明子的流动方向垂直的面内方向上,所述输入部分和所述输出部分的宽度大于在其中传输的斯格明子的直径,所述过滤通道的宽度小于所述斯格明子的直径。所述斯格明子过滤器可应用于例如磁存储器或磁逻辑电路中对斯格明子进行过滤,以获得稳定并且纯净的斯格明子流。

    一种高熵合金强化的镧钨阴极及其制备方法

    公开(公告)号:CN118675959A

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202410685486.0

    申请日:2024-05-30

    申请人: 延边大学

    IPC分类号: H01J1/144 H01J1/146 H01J9/04

    摘要: 一种高熵合金强化的镧钨阴极及其制备方法,属于热阴极技术领域。具体涉及一种La2O3负载的高熵合金(W‑Ir‑Os‑Re‑Ru)前驱粉体及其阴极的制备方法,前驱粉体中高熵合金晶粒为载体,La2O3负载在载体上,质量分数为2%~10%,通过一步式原位合成法获得了准球形纳米级La2O3在高熵合金晶粒表面形成光滑的均匀的超薄的包覆层粉体。本发明得到的阴极具有以简单Hcp固溶体为主的组织结构,具有高温稳定性、高的电流发射密度等优点。