公开(公告)号：CN101511467B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN200680055347.X

申请日：2006-05-15

申请人： 开利公司

发明人： H·文 ,  T·H·范德斯普特 ,  S·M·奥帕卡 ,  S·D·布兰德斯

IPC分类号： B01J21/00 ,  B01D50/00

CPC分类号： B01D53/885 ,  B01D2255/20707 ,  B01D2255/802 ,  B01D2257/708 ,  B01D2259/4508 ,  B01J35/004

摘要： 抗失活光催化剂可通过在合适的底材上涂覆一种或多种光催化剂晶体来制得。所述光催化剂晶体被掺杂剂M所掺杂。所述掺杂剂可用以排斥硅基化合物或用以吸引硅基化合物。在一个实施方案中，所述掺杂剂可均匀地分散在光催化剂晶体中。在另一个实施方案中，所述掺杂剂可只引入到所述结构的表面以下约0.1到约2纳米的光催化剂晶体中。在另一个实施方案中，所述掺杂的光催化剂晶体可与非掺杂的光催化剂晶体交错分散。

公开(公告)号：CN101511467A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200680055347.X

申请日：2006-05-15

申请人： 开利公司

发明人： H·文 ,  T·H·范德斯普特 ,  S·M·奥帕卡 ,  S·D·布兰德斯

IPC分类号： B01J21/00 ,  B01D50/00

CPC分类号： B01D53/885 ,  B01D2255/20707 ,  B01D2255/802 ,  B01D2257/708 ,  B01D2259/4508 ,  B01J35/004

摘要： 抗失活光催化剂可通过在合适的底材上涂覆一种或多种光催化剂晶体来制得。所述光催化剂晶体被掺杂剂M所掺杂。所述掺杂剂可用以排斥硅基化合物或用以吸引硅基化合物。在一个实施方案中，所述掺杂剂可均匀地分散在光催化剂晶体中。在另一个实施方案中，所述掺杂剂可只引入到所述结构的表面以下约0.1到约2纳米的光催化剂晶体中。在另一个实施方案中，所述掺杂的光催化剂晶体可与非掺杂的光催化剂晶体交错分散。