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公开(公告)号：CN118632618A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202310194777.5
申请日：2023-03-01
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本发明提供一种基于氧化物纳米柱通道的忆阻器、系统及其制备方法，通过PS‑b‑PMMA嵌段共聚物薄膜自组装和金属氧化物的连续循环渗透沉积制造，并在PS‑r‑PMMA无规共聚物作为分子刷的作用下，实现含金属氧化物的PMMA纳米柱的形成，并且其方向沿厚度方向延伸，实现导电细丝的定向生长与断裂，从而提高器件的一致性和稳定性，在神经形态系统设计与实现方面具有巨大的应用潜力；另外，该制备方法兼容CMOS工艺，能够高效、低成本制造大规模忆阻器阵列，利于产业化批量生产；再者，在每一个忆阻器阵列交叉点上集成多个阻变层，通过外部电信号的调控，同时导通多个阻变层，从而减少忆阻器阵列制备难度，提高忆阻器阵列的鲁棒性。
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