公开(公告)号：CN100585866C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200510090309.5

申请日：2005-08-12

申请人： 张连璧

发明人： 张连璧 ,  洪详竣 ,  张庆安 ,  苏崇智 ,  李育箖 ,  方博仁 ,  邱显钦 ,  王瑞瑜

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L23/60

CPC分类号： H01L2224/16145 ,  H01L2224/48463

摘要： 本发明涉及一种保护化合物半导体免于静电放电破坏的方法及具静电保护能力的倒装片半导体组件。该倒装片半导体组件包含一半导体部份及一保护部份，该半导体部分为该发光二极管半导体组件，该保护部分为一导电层绝缘层导电层(CIC)电容倒装片基板，其中该导电层绝缘层导电层(CIC)电容倒装片基板的电极衬垫与电极衬垫之间具有电容性结构，该导电层绝缘层导电层(CIC)电容倒装片基板二电极分别与被保护的发光二极管半导体组件二电极电性结合而并联。在正常直流工作时，该保护部份的电极与电极之间几乎呈开路状态，当静电来袭时，该保护部分形成为过多电压的放电路径，以达静电保护功能。