公开(公告)号：CN1868047A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200480030459.0

申请日：2004-08-04

申请人： 微米技术有限公司

发明人： T·R·阿波特

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28052 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66583

摘要： 本发明描述了一种形成具有集成的金属硅化物晶体管栅极的晶体管的方法以及一种半导体装置。所述晶体管栅极是通过使所述金属与外延硅反应同时留在沟槽中以形成金属硅化物而部分地制造的。在所述沟槽内和所述金属硅化物上形成晶体管栅极隔离盖层。可以加上一个可选的沟槽间隔物，以减小给定制造工艺的临界尺寸的限制，并且因而形成具有比所述临界尺寸更小的特征尺寸的晶体管。