形变传感器
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108351196A

    公开(公告)日:2018-07-31

    申请号:CN201680066466.9

    申请日:2016-11-04

    Abstract: 形变传感器在基板表面上包括至少两个电极。各电极被间隙隔开,并且各电极被布置以使得间隙包括闭合几何形状的至少一部分。间隙包含负载有导电或半导电纳米颗粒的材料,由此基板的形变导致该至少两个电极之间的电阻改变。

    形变传感器
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108351196B

    公开(公告)日:2020-03-31

    申请号:CN201680066466.9

    申请日:2016-11-04

    Abstract: 形变传感器在基板表面上包括至少两个电极。各电极被间隙隔开,并且各电极被布置以使得间隙包括闭合几何形状的至少一部分。间隙包含负载有导电或半导电纳米颗粒的材料,由此基板的形变导致该至少两个电极之间的电阻改变。

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