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公开(公告)号：CN108352398A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680062102.3
申请日：2016-10-20
申请人： 德尔塔蒂研究财团
摘要： 一种具有基座硅晶片和覆盖硅晶片的紧凑尺寸的热电发电机，具有被构造成用于提高热能到电能的转化效率的简单结构，使得由于每单位表面的热量大于现有技术设备薄膜而也有可能转换为电流，其中覆盖硅晶片面对所述基座硅晶片，使得相应顶部触点接触并且覆盖硅晶片和基座硅晶片之间的空间是形成真空的空间或者存在气体，特别是空气的空间。
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公开(公告)号：CN106716658B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201580052881.4
申请日：2015-09-23
申请人： 德尔塔蒂研究财团
发明人： 达尼洛·马斯科洛 , 安东涅塔·布欧希奥罗 , 伊塔洛·吉森 , 朱塞佩·加玛瑞诺
IPC分类号： H01L35/32
摘要： 集成在两个不同硅晶方中的两个几何形状上相同的集成Z‑器件结构可以具有薄膜多晶半导体的线的反转导电类型的限定束或片段，并且通过普通的倒装芯片键合技术或类似的(即晶片与晶片键合)以面对面构造连接在一起，使得一个结构的p‑掺杂薄膜管脚面向另一个结构的n‑掺杂薄膜管脚，反之亦然。在将两个镜状Z‑器件结构连接在一起时，一个集成结构的山顶金属触点与另一个集成结构的相应山顶金属触点以电和热连续的方式进行键合，从而形成对于相同覆盖面积具有增加的功率产出的基本上双瓣TEG，并且由于考虑到增大的内部空的空间，进一步减少的辐射的内部旁路热量，具有增强的转换效率。热电生成的电流可以从一个或多个端垫对收集，端垫对的垫在分别属于两个耦合晶方中的一个和另一个的微单元的导电线的端部处连接到在双瓣器件的两个晶方中的一个和另一个上的相应谷底触点。公开了若干实施例，包括再现经典热电堆电路的电路的一个实施例。
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公开(公告)号：CN108352398B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201680062102.3
申请日：2016-10-20
申请人： 德尔塔蒂研究财团
摘要： 一种具有基座硅晶片和覆盖硅晶片的紧凑尺寸的热电发电机，具有被构造成用于提高热能到电能的转化效率的简单结构，使得由于每单位表面的热量大于现有技术设备薄膜而也有可能转换为电流，其中覆盖硅晶片面对所述基座硅晶片，使得相应顶部触点接触并且覆盖硅晶片和基座硅晶片之间的空间是形成真空的空间或者存在气体，特别是空气的空间。
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公开(公告)号：CN106716658A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580052881.4
申请日：2015-09-23
申请人： 德尔塔蒂研究财团
发明人： 达尼洛·马斯科洛 , 安东涅塔·布欧希奥罗 , 伊塔洛·吉森 , 朱塞佩·加玛瑞诺
IPC分类号： H01L35/32
摘要： 集成在两个不同硅晶方中的两个几何形状上相同的集成Z‑器件结构可以具有薄膜多晶半导体的线的反转导电类型的限定束或片段，并且通过普通的倒装芯片键合技术或类似的(即晶片与晶片键合)以面对面构造连接在一起，使得一个结构的p‑掺杂薄膜管脚面向另一个结构的n‑掺杂薄膜管脚，反之亦然。在将两个镜状Z‑器件结构连接在一起时，一个集成结构的山顶金属触点与另一个集成结构的相应山顶金属触点以电和热连续的方式进行键合，从而形成对于相同覆盖面积具有增加的功率产出的基本上双瓣TEG，并且由于考虑到增大的内部空的空间，进一步减少的辐射的内部旁路热量，具有增强的转换效率。热电生成的电流可以从一个或多个端垫对收集，端垫对的垫在分别属于两个耦合晶方中的一个和另一个的微单元的导电线的端部处连接到在双瓣器件的两个晶方中的一个和另一个上的相应谷底触点。公开了若干实施例，包括再现经典热电堆电路的电路的一个实施例。
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