公开(公告)号：CN118299384A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202211700379.8

申请日：2022-12-28

申请人： 思特威(上海)电子科技股份有限公司

发明人： 林坤成 ,  石文杰 ,  吴松昌

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本申请公开了一种图像传感器及其制作方法、电子设备，其中，本申请公开的图像传感器包括半导体结构层、电路连接层和光学结构层，半导体结构层内具有呈阵列分布的像素区和逻辑区，像素区包括感光组件，本申请通过在电路连接层对应像素区的位置设置光学增强结构，并利用电路连接层对应逻辑区的位置的驱动电极在感光组件接收光信号之前为光学增强结构供电，使图像传感器的入射光可以更加直接地穿过光学增强结构进入像素区，从而有效降低光学路径长、金属布线反射吸收损耗大对图像传感器性能的影响。

公开(公告)号：CN219040482U

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202223534541.1

申请日：2022-12-28

申请人： 思特威(上海)电子科技股份有限公司

发明人： 林坤成 ,  石文杰 ,  吴松昌

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本申请公开了一种图像传感器及电子设备，其中，本申请公开的图像传感器包括半导体结构层、电路连接层和光学结构层，半导体结构层内具有呈阵列分布的像素区和逻辑区，像素区包括感光组件，本申请通过在电路连接层对应像素区的位置设置光学增强结构，并利用电路连接层对应逻辑区的位置的驱动电极在感光组件接收光信号之前为光学增强结构供电，使图像传感器的入射光可以更加直接地穿过光学增强结构进入像素区，从而有效降低光学路径长、金属布线反射吸收损耗大对图像传感器性能的影响。