-
公开(公告)号：CN100485933C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200610074615.4
申请日：2006-04-20
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种包括具有MIM结构的电容器的半导体器件，通过其来提高器件的尺寸精度，并且提供稳定的电容值。半导体器件(100)包括：半导体衬底(102)；形成有MIM电容器的电容器形成区(130)，其中MIM电容器具有形成在半导体衬底(102)上的绝缘夹层(104)、第一电极(110)以及第二电极(112)，并且第一电极(110)和第二电极(112)通过绝缘夹层(104)彼此面对地排列；以及包括多个屏蔽电极(114)的屏蔽区(132)，其中多个屏蔽电极(114)形成在电容器形成区(130)的外边缘，并且同时在与半导体衬底(102)上的MIM电容器的层相同的层中其被设置在预定的电位，并且将电容器形成区(130)从其它区屏蔽开。
-
公开(公告)号：CN100420010C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200510116170.7
申请日：2005-10-24
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L27/00
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L27/0805 , H01L28/87 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件具有半导体衬底、在半导体衬底上形成的多层布线结构、和在多层布线结构中建立的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器排列。MIM电容器排列包括以规则间隔相互平行依次排列的第一、第二、第三、第四、第五和第六电极结构。第一、第二、第五和第六电极结构相互电连接从而定义第一电容器，第三和第四电极结构相互电连接从而定义第二电容器。
-
公开(公告)号：CN1143365C
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN99107407.6
申请日：1999-03-30
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司
Inventor： 菊田邦子
IPC: H01L21/304 , H01L21/302 , B24B37/00
CPC classification number: C01B33/126 , B24B37/042
Abstract: 本发明提供了一种将要研磨的材料进行研磨的方法，在该方法中，材料与旋转的衬布的表面相接触。使用一种含有研磨颗粒的研磨剂。研磨颗粒与要研磨材料的硬度相同或相当。硬度可通过控制研磨颗粒的密度来调节。本发明还提供一种使用在研磨方法中的研磨颗粒的制造方法，在该方法中，硅烷和氧气在气相中进行注射从而产生具有所要求密度的多孔的二氧化硅颗粒。
-
公开(公告)号：CN1779967A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510116170.7
申请日：2005-10-24
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L27/00
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L27/0805 , H01L28/87 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件具有半导体衬底、在半导体衬底上形成的多层布线结构、和在多层布线结构中建立的金属－绝缘体－金属(MIM)电容器排列。MIM电容器排列包括以规则间隔相互平行依次排列的第一、第二、第三、第四、第五和第六电极结构。第一、第二、第五和第六电极结构相互电连接从而定义第一电容器，第三和第四电极结构相互电连接从而定义第二电容器。
-
公开(公告)号：CN1851921A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200610074615.4
申请日：2006-04-20
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种包括具有MIM结构的电容器的半导体器件，通过其来提高器件的尺寸精度，并且提供稳定的电容值。半导体器件(100)包括：半导体衬底(102)；形成有MIM电容器的电容器形成区(130)，其中MIM电容器具有形成在半导体衬底(102)上的绝缘夹层(104)、第一电极(110)以及第二电极(112)，并且第一电极(110)和第二电极(112)通过绝缘夹层(104)彼此面对地排列；以及包括多个屏蔽电极(114)的屏蔽区(132)，其中多个屏蔽电极(114)形成在电容器形成区(130)的外边缘，并且同时在与半导体衬底(102)上的MIM电容器的层相同的层中其被设置在预定的电位，并且将电容器形成区(130)从其它区屏蔽开。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1655356A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200510007923.0
申请日：2005-02-05
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
CPC classification number: H01C7/1013 , H01L27/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分中，形成多层布线结构的最上布线层的布线。在布线的两个之间以覆盖两个布线的方式提供氧化钒的片状温度监视元件。因此，温度监视元件通过最上布线层的两个过孔和两个布线连接在多层布线结构的下面的布线层的两个布线之间。
-
公开(公告)号：CN1645613A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200510004377.5
申请日：2005-01-17
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/015 , H01L23/522 , H01L27/0248 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分，由钨制成的第一通路形成在多层布线层的最顶层，而由钛制成的衬垫设置在覆盖该通路的多层布线层的区域上。绝缘层以覆盖多层布线层和衬垫的方式设置，第二通路设置成到达该衬垫。通过反应喷溅把氧化钒隐藏在第二通路中，而氧化钒温度监视部件以与第二通路彼此连接的方式设置。于是温度监视部件被连接在两条布线之间。
-
公开(公告)号：CN100521205C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200510004377.5
申请日：2005-01-17
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/015 , H01L23/522 , H01L27/0248 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分，由钨制成的第一通路形成在多层布线层的最顶层，而由钛制成的衬垫设置在覆盖该通路的多层布线层的区域上。绝缘层以覆盖多层布线层和衬垫的方式设置，第二通路设置成到达该衬垫。通过反应喷溅把氧化钒隐藏在第二通路中，而氧化钒温度监视部件以与第二通路彼此连接的方式设置。于是温度监视部件被连接在两条布线之间。
-
公开(公告)号：CN101452931A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810189692.3
申请日：2005-01-17
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/04 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/015 , H01L23/522 , H01L27/0248 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分，由钨制成的第一通路形成在多层布线层的最顶层，而由钛制成的衬垫设置在覆盖该通路的多层布线层的区域上。绝缘层以覆盖多层布线层和衬垫的方式设置，第二通路设置成到达该衬垫。通过反应喷溅把氧化钒隐藏在第二通路中，而氧化钒温度监视部件以与第二通路彼此连接的方式设置，于是温度监视部件被连接在两条布线之间。
-
公开(公告)号：CN1127131C
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN98106991.6
申请日：1998-04-17
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司
Inventor： 菊田邦子
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L21/76877 , H01L23/53223 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种形成于孔中的基层结构，所说孔的上部直径大于孔其它部分的直径。孔形成于半导体器件的绝缘层中。基层结构包括在至少孔的上部的一部分上和至少靠近孔顶部的绝缘层的一部分之上延伸的基层，其中在所说上部延伸的基层在高度方向有一有效厚度，该厚度大于绝缘膜上的基层的厚度，还大于使至少孔上部上面的部分基层在各向异性腐蚀工艺后能够保留下来，而利用各向异性腐蚀工艺将绝缘层上延伸的基层腐蚀掉的临界厚度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.031 seconds)
