公开(公告)号：CN115238864A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210851198.9

申请日：2022-07-20

申请人： 成都大学

发明人： 郭俊雄 ,  蔡吉 ,  林霖 ,  李尚栋 ,  陈建波 ,  叶菁华

IPC分类号： G06N3/04 ,  G06N3/067 ,  G06V10/82 ,  G06V10/776

摘要： 本发明公开了一种光神经单元装置、深度学习光神经网络的构建方法，涉及神经网络技术领域，包括接触金属电极、图形化石墨烯阵列、介电层薄膜和衬底，所述图形化石墨烯阵列与形成在衬底上的介电层薄膜接触，所述接触金属电极与图形化石墨烯阵列接触并与衬底共同用于产生电场，调控装置输出光信号作为突触的输入权重，所述图形化石墨烯阵列包括石墨烯和红外光源波，所述石墨烯为单层石墨烯，所述图形化石墨烯阵列单元为周期条带状，本发明的有益效果为：与其他材料相比，图形化石墨烯由于载流子密度高且支持表面等离子激元的传播，提供了一个无可比拟的优势，即在室温下对中红外到太赫兹范围内的波长可通过用栅极电压进行原位动态调谐。

公开(公告)号：CN114093977A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202111413076.3

申请日：2021-11-25

申请人： 成都大学

发明人： 郭俊雄 ,  陈建波 ,  林霖 ,  李尚栋 ,  吴琬晶 ,  蔡吉

IPC分类号： H01L31/113 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

摘要： 本发明属于红外光电探测器技术领域，尤其是一种低功耗可调谐室温中红外光电探测器及制作方法，包括源电极、漏电极、石墨烯、衬底、设于衬底上的底电极、设于底电极上的周期极化的铁电薄膜、导线；石墨烯与周期极化的铁电薄膜接触，源电极、漏电极与石墨烯接触，源电极、漏电极的顶部均设有接触电极，本发明无需对石墨烯图形化，避免了图形化石墨烯加工过程中对材料的损伤及不光滑边缘的产生，无需复杂接触电极的制备，简化了器件的制造工艺，降低了大规模生产的成本，采用功函数有差异的金属电极作为源漏接触电极，无需外加偏压，器件即可工作，大大降低了功耗，可在室温工作。

公开(公告)号：CN114300569B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202111624685.3

申请日：2021-12-28

申请人： 成都大学

发明人： 郭俊雄 ,  陈建波 ,  林霖 ,  李尚栋 ,  吴琬晶 ,  蔡吉 ,  叶菁华

IPC分类号： H01L31/113 ,  H01L31/0224

摘要： 本发明公开了一种双波段可调谐室温红外光电探测器，包括导线、源/漏电极、石墨烯、衬底、底电极薄膜和铁电薄膜，所述源/漏电极的顶部为接触金属电极；所述石墨烯与铁电薄膜接触，并且接收被检测的红外光信号；所述源/漏电极与石墨烯接触，并且收集石墨烯接收红外光信号后产生的正负电荷，且通过连接导线形成源/漏电流，本发明涉及红外光电探测器技术领域。该双波段可调谐室温红外光电探测器，使用石墨烯，可与基底以范德华力接触，无需考虑晶格匹配问题，无需复杂的外延生长工艺，大大降低了生产成本，本发明无需对石墨烯图形化，避免了石墨烯加工过程中对材料的损伤及不光滑边缘的产生，简化了加工流程。

公开(公告)号：CN114300569A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111624685.3

申请日：2021-12-28

申请人： 成都大学

发明人： 郭俊雄 ,  陈建波 ,  林霖 ,  李尚栋 ,  吴琬晶 ,  蔡吉 ,  叶菁华

IPC分类号： H01L31/113 ,  H01L31/0224

摘要： 本发明公开了一种双波段可调谐室温红外光电探测器，包括导线、源/漏电极、石墨烯、衬底、底电极薄膜和铁电薄膜，所述源/漏电极的顶部为接触金属电极；所述石墨烯与铁电薄膜接触，并且接收被检测的红外光信号；所述源/漏电极与石墨烯接触，并且收集石墨烯接收红外光信号后产生的正负电荷，且通过连接导线形成源/漏电流，本发明涉及红外光电探测器技术领域。该双波段可调谐室温红外光电探测器，使用石墨烯，可与基底以范德华力接触，无需考虑晶格匹配问题，无需复杂的外延生长工艺，大大降低了生产成本，本发明无需对石墨烯图形化，避免了石墨烯加工过程中对材料的损伤及不光滑边缘的产生，简化了加工流程。