一种新型转移石墨烯薄膜的方法以及传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN106946248A

    公开(公告)日:2017-07-14

    申请号:CN201710265007.X

    申请日:2017-04-20

    IPC分类号: C01B32/194 G01D5/14

    摘要: 一种新型转移石墨烯薄膜的方法以及传感器的制备方法,涉及石墨烯技术领域。新型转移石墨烯薄膜的方法,包括:使熔化的石蜡覆盖在形成于生长衬底表面的石墨烯薄膜表面。待石蜡固化后,去除生长衬底得到石蜡/石墨烯复合薄膜,将石蜡/石墨烯复合薄膜置于目标衬底的表面,对目标衬底加热直至石蜡贴合在目标衬底,使用溶剂去除石蜡。该方法采用石蜡作为新的转移介质,便于操作,且能实现基本无损地转移石墨烯薄膜。传感器的制备方法包括:在上述方法制得的石墨烯薄膜表面制作通道电极,将石墨烯薄膜制成触控传感器的图案,在石墨烯薄膜表面贴合光学胶后进行脱泡处理。利用上述方法得到的石墨烯薄膜完整、基本无损且面积大,可用于传感器的制作。

    一种新型转移石墨烯薄膜的方法以及传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN106946248B

    公开(公告)日:2019-11-08

    申请号:CN201710265007.X

    申请日:2017-04-20

    IPC分类号: C01B32/194 G01D5/14

    摘要: 一种新型转移石墨烯薄膜的方法以及传感器的制备方法,涉及石墨烯技术领域。新型转移石墨烯薄膜的方法,包括:使熔化的石蜡覆盖在形成于生长衬底表面的石墨烯薄膜表面。待石蜡固化后,去除生长衬底得到石蜡/石墨烯复合薄膜,将石蜡/石墨烯复合薄膜置于目标衬底的表面,对目标衬底加热直至石蜡贴合在目标衬底,使用溶剂去除石蜡。该方法采用石蜡作为新的转移介质,便于操作,且能实现基本无损地转移石墨烯薄膜。传感器的制备方法包括:在上述方法制得的石墨烯薄膜表面制作通道电极,将石墨烯薄膜制成触控传感器的图案,在石墨烯薄膜表面贴合光学胶后进行脱泡处理。利用上述方法得到的石墨烯薄膜完整、基本无损且面积大,可用于传感器的制作。

    一种基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN107134321A

    公开(公告)日:2017-09-05

    申请号:CN201710292102.9

    申请日:2017-04-28

    摘要: 本发明公开了一种基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜,包括石墨烯薄膜,和铟锡氧化物半导体透明导电膜,碎裂为若干碎片的所述铟锡氧化物半导体透明导电膜贴合于所述石墨烯薄膜的表面。本发明还公开了一种复合柔性透明导电薄膜的制备方法,包括以下步骤:在衬底上生长石墨烯薄膜;将生长好石墨烯薄膜的衬底的石墨烯面,贴在胶膜上;将衬底与石墨烯薄膜剥离开来;将石墨烯薄膜与铟锡氧化物半导体透明导电膜贴合在一起,然后加压使铟锡氧化物半导体透明导电膜碎裂并附着在石墨烯薄膜的表面,完成复合柔性透明导电薄膜的制备。本发明将碎裂的铟锡氧化物半导体透明导电膜与石墨烯薄膜复合在一起,在保留石墨烯薄膜原有优点的基础上有效降低了方阻。