一种极简的浮地磁控忆感器电路仿真模型

    公开(公告)号:CN110111655A

    公开(公告)日:2019-08-09

    申请号:CN201910370339.3

    申请日:2019-05-06

    发明人: 余波 吴显云

    IPC分类号: G09B23/18

    摘要: 本发明公开了一种极简的浮地磁控忆感器电路仿真模型,包括端口a、端口b、压控电感器UL、电感器L、电压积分器A1和电压积分器A2,压控电感器UL包括电压控制端uc和受控电感Lu,压控电感器UL内受控电感Lu的电感量受电压控制端uc的电压值控制,电压积分器A1包括电压输入端ui和电压输出端uh,电压积分器A2包括电压输入端uh和电压输出端uc。该浮地磁控忆感器电路仿真模型端口a、b的电气特性等效了磁控忆感器ML的A、B端口特性,只需要使用仿真软件中已有的4个元件(component),为二引脚模型,进一步地降低已有磁控忆感器电路仿真模型的复杂度和元件数,具有忆感值变化范围灵活、无接地限制、工作电压范围宽和易于理解的优点;可广泛地应用于忆感电路的设计与仿真。

    一种二次非线性有源磁控忆阻模拟器

    公开(公告)号:CN110008651B

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN201910418444.X

    申请日:2019-05-20

    发明人: 余波 吴显云

    IPC分类号: G06F30/367

    摘要: 本发明公开了一种二次非线性有源磁控忆阻模拟器,包括负电阻等效电路、积分运算电路、乘法器M1和电阻R2,积分运算电路包括电流传输器U1、电阻R1和电容C1,负电阻等效电路包括运算放大器U2、电阻R3、电阻R4和电阻R5。该二次非线性有源磁控忆阻模拟器端口a、b的电气特性等效了磁控忆阻器的端口特性,其伏安特性曲线在二四象限,工作时能持续的向外提供能量,可广泛地应用到忆阻器需要向外提供能量的忆阻电路(如,蔡氏忆阻电路)。

    基于光谱角色散的啁啾激光脉冲频谱整形系统

    公开(公告)号:CN108281877A

    公开(公告)日:2018-07-13

    申请号:CN201810209152.0

    申请日:2018-03-14

    摘要: 本发明提供了一种基于光谱角色散的啁啾激光脉冲频谱整形系统,涉及激光脉冲放大技术领域,该基于光谱角色散的啁啾激光脉冲频谱整形系统包括色散模块、光参量转换模块、光学延迟模块和反射模块;频谱待整形的啁啾激光脉冲经过色散模块后,不同频率的光被色散模块色散开后分别以不同的入射角进入光参量转换模块,泵浦光脉冲依次经过光学延迟模块、反射模块后以与啁啾激光脉冲不共线的入射角进入光参量转换模块,啁啾激光脉冲与泵浦光脉冲在光参量转换模块内发生能量转移后,由光参量转换模块发射出实现啁啾激光脉冲的频谱整形,以缓解现有技术中所使用的啁啾激光脉冲频谱整形系统对信号光能量的利用率较低,且相对使用灵活性较低等技术问题。

    一种刀具
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109500846B

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN201811575153.3

    申请日:2018-12-21

    IPC分类号: B26B29/02 B26B3/06

    摘要: 本发明涉及生活用品领域,提供了一种刀具,包括刀体、刀鞘和刀把,刀鞘设置有用于将刀体锁紧的锁紧机构,锁紧机构设置于刀鞘的侧面且位于与配合槽对应的位置,刀鞘的侧壁对应设置有锁紧机构的位置开设有卡件通过孔,锁紧机构设置有安装槽,安装槽与卡件通过孔连通,安装槽内设置有弹簧、具有铁磁性的连接盘以及卡件,弹簧的一端与安装槽远离刀体的槽壁连接,弹簧的另一端与连接盘的一面连接,连接盘的另一面与卡件连接,卡件穿过卡件通过孔卡设于配合槽内,卡件通过孔的孔径小于连接盘的直径,连接盘的大小与安装槽的大小相对应。该刀具能够有效防止儿童因好奇心驱使拔刀而造成安全事故的发生。

    热水器前段冷水回收利用装置和方法

    公开(公告)号:CN110887233A

    公开(公告)日:2020-03-17

    申请号:CN201911267785.8

    申请日:2019-12-11

    IPC分类号: F24H9/12 F24H9/20

    摘要: 本发明涉及节水技术领域,具体公开了一种热水器前段冷水回收利用装置和方法,装置包括电控系统、储水箱以及设置于热水出水管路上且靠近出水机构的阀门;阀门与储水箱连通,储水箱通过回收水出水管路与阀门连通,且回收水出水管路上设置有可控制流量的水泵;电控系统包括控制器、第一温度传感器,第一温度传感器设置于阀门内,或靠近阀门的位置;控制器与水泵、阀门以及第一温度传感器通信连接,电控系统控制阀门选择性地与出水机构、储水箱或者回收水出水管路连通。方法包括:将热水器前段冷水回流至与达到预设温度的水流混合。本发明提供的装置和方法,将热水器前段冷水回收利用,可达到节水效果,且方便快捷。

    一种辅助汽车转向操作装置、行车安全系统及车辆

    公开(公告)号:CN108583685A

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201810517369.8

    申请日:2018-05-25

    IPC分类号: B62D15/02

    摘要: 本发明涉及光电子产品领域,提供了一种辅助汽车转向操作装置,包括稳压电源、控制电路板、单片机、发射方向盘打死后与车轮的方向平行的激光的第一角度指示激光发射器、和与车轮同步转动的第二角度指示激光发射器和角度传感器。该装置使得驾驶员根据上述两种激光发射器发射的激光之间的夹角直观判断车轮与车身的夹角,同时判断方向盘的转动圈数及是否回正,从而提高行车及倒车的安全性及提高倒车效率。本发明还提供了一种行车安全系统,包括上述辅助汽车转向操作装置和可视车辆防擦碰装置,该系统设置于车辆时,车辆安全性更高。本发明还提供了一种车辆,该车辆包括本发明提供的辅助汽车转向操作装置,该车辆行车转弯和倒车时更方便,安全性更高。

    一种抗金属试样高温氧化设备及方法

    公开(公告)号:CN108106984A

    公开(公告)日:2018-06-01

    申请号:CN201711302988.7

    申请日:2017-12-08

    IPC分类号: G01N17/00

    摘要: 本发明提供了一种抗金属试样高温氧化设备及方法,属于高温实验器材领域,其中抗金属试样高温氧化设备,包括坩埚、密封层和包裹层;坩埚具有容置空间,容置空间具有开口,包裹层设置在容置空间的底部,包裹层顶部设置有用于放置入金属试样的放置口;密封层设置在包裹层靠近开口的一端;密封层远离包裹层的一面为阻气面,阻气面设置在容置空间内。通过发明提供的抗金属试样高温氧化设备,可以利用低熔点低成本易氧化金属或高熔点低成本抗氧化金属形成密封空间,进而避免位于密封空间内的金属试样在高温试验时吸收外界的氧气被氧化。而本来经过一次高温试验后基本就无法再次利用的陶瓷坩埚或刚玉坩埚,可以直接敲碎保证金属试样的完整性。

    一种抗金属试样高温氧化方法

    公开(公告)号:CN108106984B

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN201711302988.7

    申请日:2017-12-08

    IPC分类号: G01N17/00

    摘要: 本发明提供了一种抗金属试样高温氧化方法,属于高温实验器材领域,其中抗金属试样高温氧化设备,包括坩埚、密封层和包裹层;坩埚具有容置空间,容置空间具有开口,包裹层设置在容置空间的底部,包裹层顶部设置有用于放置入金属试样的放置口;密封层设置在包裹层靠近开口的一端;密封层远离包裹层的一面为阻气面,阻气面设置在容置空间内。通过发明提供的抗金属试样高温氧化设备,可以利用低熔点低成本易氧化金属或高熔点低成本抗氧化金属形成密封空间,进而避免位于密封空间内的金属试样在高温试验时吸收外界的氧气被氧化。而本来经过一次高温试验后基本就无法再次利用的陶瓷坩埚或刚玉坩埚,可以直接敲碎保证金属试样的完整性。

    一种测量线胀系数的实验装置及方法

    公开(公告)号:CN110095497A

    公开(公告)日:2019-08-06

    申请号:CN201910519194.9

    申请日:2019-06-13

    IPC分类号: G01N25/16 G01N21/84 G01B11/02

    摘要: 本发明涉及实验装置技术领域,提供了一种测量线胀系数的实验装置,包括依次设置的激光发射器、第一透镜、第一镀高反射膜透明板、第二镀高反射膜透明板、第二透镜以及图样接收屏,实验装置还包括待测样品加热装置及推动件,推动件的一端伸入待测样品加热装置内用于于待测样品接触,推动件的另一端与第一镀高反射膜透明板或第二镀高反射膜透明板接触或连接。该装置能改善现有测量线胀系数的实验装置精度有限的问题。一种测量线胀系数的方法:将待测样品进行加热,使上述两个镀高反射膜透明板的距离因待测样品膨胀同步变化;记录干涉图样的变化量,进而计算得到待测样品膨胀长度;根据温差和膨胀长度计算线胀系数。该方法测得的线胀系数的精度高。

    一种二次非线性有源磁控忆阻模拟器

    公开(公告)号:CN110008651A

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201910418444.X

    申请日:2019-05-20

    发明人: 余波 吴显云

    IPC分类号: G06F17/50

    摘要: 本发明公开了一种二次非线性有源磁控忆阻模拟器,包括负电阻等效电路、积分运算电路、乘法器M1和电阻R2,积分运算电路包括电流传输器U1、电阻R1和电容C1,负电阻等效电路包括运算放大器U2、电阻R3、电阻R4和电阻R5。该二次非线性有源磁控忆阻模拟器端口a、b的电气特性等效了磁控忆阻器的端口特性,其伏安特性曲线在二四象限,工作时能持续的向外提供能量,可广泛地应用到忆阻器需要向外提供能量的忆阻电路(如,蔡氏忆阻电路)。