公开(公告)号：CN118164429A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410587503.7

申请日：2024-05-13

申请人： 成都航天博目电子科技有限公司

发明人： 杨云畅 ,  董鹏 ,  边旭明 ,  陈瑞 ,  徐浩 ,  廖梦雅 ,  请求不公布姓名 ,  请求不公布姓名

IPC分类号： B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  G03F7/20 ,  C25D7/12

摘要： 本发明公开了一种用于微纳器件的叠层结构及其制备方法，所述方法包括：在晶圆上涂敷光刻胶并进行软烤；使用光刻机和掩模版对光刻胶进行曝光，以将掩模版上的图形转移到晶圆上；使用显影液显影出倒梯形的光刻胶图像，两个光刻胶图像之间形成正梯形开口；在光刻胶图像和正梯形开口中沉积第一层材料；设定金属种子层，使用含有相同金属离子的电镀液，在第一层材料上电镀出电镀层金属；在电镀层金属上沉积第二层材料，形成叠层结构，所述叠层结构为沉积在正梯形开口中的第一层材料和第二层材料的组合；去除光刻胶保留所述叠层结构。本发明能够消除第一层材料之外的材料掉落或者直接沉积到衬底上的风险，提高第一层材料的阻障可靠性。

公开(公告)号：CN118164429B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410587503.7

申请日：2024-05-13

申请人： 成都航天博目电子科技有限公司

发明人： 杨云畅 ,  董鹏 ,  边旭明 ,  陈瑞 ,  徐浩 ,  廖梦雅 ,  请求不公布姓名 ,  请求不公布姓名

IPC分类号： B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  G03F7/20 ,  C25D7/12

摘要： 本发明公开了一种用于微纳器件的叠层结构及其制备方法，所述方法包括：在晶圆上涂敷光刻胶并进行软烤；使用光刻机和掩模版对光刻胶进行曝光，以将掩模版上的图形转移到晶圆上；使用显影液显影出倒梯形的光刻胶图像，两个光刻胶图像之间形成正梯形开口；在光刻胶图像和正梯形开口中沉积第一层材料；设定金属种子层，使用含有相同金属离子的电镀液，在第一层材料上电镀出电镀层金属；在电镀层金属上沉积第二层材料，形成叠层结构，所述叠层结构为沉积在正梯形开口中的第一层材料和第二层材料的组合；去除光刻胶保留所述叠层结构。本发明能够消除第一层材料之外的材料掉落或者直接沉积到衬底上的风险，提高第一层材料的阻障可靠性。

公开(公告)号：CN118448273A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410734268.1

申请日：2024-06-07

申请人： 成都航天博目电子科技有限公司

发明人： 廖梦雅 ,  董鹏

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  H01L21/683 ,  H01L23/373 ,  B23K26/382

摘要： 本发明公开了一种金刚石基GaN器件通孔结构及其制备方法，所述方法包括；在硅衬底上生长金刚石层；使用脉冲激光对金刚石层进行通孔刻蚀；转移GaN外延层到临时键合载片上，并在GaN外延层上溅镀键合介质层；利用低温晶圆键合技术键合金刚石层和GaN外延层；移除GaN外延层上的临时键合载片，对GaN外延层进行正面器件工艺；刻蚀掉硅衬底并且刻蚀掉金刚石通孔所在位置处的键合介质层和GaN外延层形成背面通孔；在金刚石层的背面沉积种子层金属和厚金从而连接器件正面电极。本发明能解决金刚石基器件背面通孔接地难以制备的问题，提前对金刚石衬底进行开孔刻蚀可以避免激光刻蚀对GaN器件的损伤，提高器件的良品率，并且能够提高工艺效率，降低成本。