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公开(公告)号：CN103311611A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210067886.2
申请日：2012-03-15
申请人： 成都赛纳赛德科技有限公司
IPC分类号： H01P1/203
摘要： 本发明公开了一种基于短路枝节的超宽带滤波器包括传输线内导体、传输线外导体、至少两个由金属柱和谐振腔组成的短路枝节和至少四个调谐螺钉。本发明的优点在于采用交错螺钉变宽带高通为带通，使其寄生通带较远，带外抑制很陡峭，加工简单。
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公开(公告)号：CN103066356A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110318599.X
申请日：2011-10-19
申请人： 成都赛纳赛德科技有限公司
IPC分类号： H01P1/24
摘要： 本发明公开了一种匹配负载，包括矩形波导和至少一条吸收材料体，其特征在于吸收材料体在宽度和高度上都随矩形波导轴向方向增大，其中吸收材料体靠近矩形波导开路端一端的小头端高度大于矩形波导高度的1/10,宽度小于矩形波导宽度的1/10，使得得到低反射系数匹配负载的吸收材料体靠近矩形波导开路面的一端即尖端不会相对较长，不容易折损，加工方便，降低成本。
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公开(公告)号：CN103311628A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210067870.1
申请日：2012-03-15
申请人： 成都赛纳赛德科技有限公司
IPC分类号： H01P5/103
摘要： 本发明公开了一种同轴-脊波导转换接头，它是由同轴结构和脊波导组成的，其优点为：结构简单，可以实现超宽带的匹配。本发明的转接头可望广泛应用于各种微波波段的电子系统中。
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公开(公告)号：CN103311628B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201210067870.1
申请日：2012-03-15
申请人： 成都赛纳赛德科技有限公司
IPC分类号： H01P5/103
摘要： 本发明公开了一种同轴-脊波导转换接头，它是由同轴结构和脊波导组成的，其优点为：结构简单，可以实现超宽带的匹配。本发明的转接头可望广泛应用于各种微波波段的电子系统中。
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公开(公告)号：CN103311615B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210067876.9
申请日：2012-03-15
申请人： 成都赛纳赛德科技有限公司
IPC分类号： H01P1/205
摘要： 本发明公开了一种梳齿超宽带滤波器，它是一种梳齿结构和连接相邻梳齿的脊结构，同时采用接头的内导体与梳齿相接触的一端的端面中心点高于此梳齿的上顶面，满足超宽带的要求。本发明具有加工简单、加工成本低、调试方便、插损低、成品率高等优点。本发明提供的超宽带滤波器可望广泛用于超宽带无线通信系统中，特别是雷达、导弹制导、电子对抗、通信等军事及民用领域。
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公开(公告)号：CN103311629A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210067866.5
申请日：2012-03-15
申请人： 成都赛纳赛德科技有限公司
IPC分类号： H01P5/18
摘要： 本发明公开了一种脊波导定向耦合器，包括上盖板，底座，主波导，副波导，脊结构，以及金属隔板和同轴接头。本发明的优点在于：提供一种脊波导定向耦合器，采用同轴线内导体位于脊结构上的一端的端面的中心点高于脊结构的上顶平面的接头，可以实现接头在宽频带内很好的匹配，同时这种脊波导定向耦合器可以实现在宽频带内满足对一定耦合比和隔离度的设计要求，并且减小耦合器体积。
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公开(公告)号：CN103311615A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210067876.9
申请日：2012-03-15
申请人： 成都赛纳赛德科技有限公司
IPC分类号： H01P1/205
摘要： 本发明公开了一种梳齿超宽带滤波器，它是一种梳齿结构和连接相邻梳齿的脊结构，同时采用接头的内导体与梳齿相接触的一端的端面中心点高于此梳齿的上顶面，满足超宽带的要求。本发明具有加工简单、加工成本低、调试方便、插损低、成品率高等优点。本发明提供的超宽带滤波器可望广泛用于超宽带无线通信系统中，特别是雷达、导弹制导、电子对抗、通信等军事及民用领域。
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公开(公告)号：CN103311629B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201210067866.5
申请日：2012-03-15
申请人： 成都赛纳赛德科技有限公司
IPC分类号： H01P5/18
摘要： 本发明公开了一种脊波导定向耦合器，包括上盖板，底座，主波导，副波导，脊结构，以及金属隔板和同轴接头。本发明的优点在于：提供一种脊波导定向耦合器，采用同轴线内导体位于脊结构上的一端的端面的中心点高于脊结构的上顶平面的接头，可以实现接头在宽频带内很好的匹配，同时这种脊波导定向耦合器可以实现在宽频带内满足对一定耦合比和隔离度的设计要求，并且减小耦合器体积。
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