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公开(公告)号:CN119403282A
公开(公告)日:2025-02-07
申请号:CN202411527680.2
申请日:2024-10-30
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有识别性能的Ag2S/Bi2O3@Bi2S3光电薄膜及其制备方法和应用,该光电薄膜为表面沉积有Ag2S的Bi2O3@Bi2S3光电薄膜纳米材料。采用一步水浴法合成Bi2O3@Bi2S3二元异质结构,因多组分物质间更强的协同效应,进一步提高电子空穴对的分离效率,接着通过改进的原位离子层吸附法引入Ag2S,合成了Ag2S/Bi2O3@Bi2S3/FTO,Ag2S的引入可以有效延长光生载流子的寿命,从而提高光催化反应的速率。再以分子印迹构建MIP/Ag2S/Bi2O3@Bi2S3/FTO传感器,合成方法简单高效,成本低且易于操作,构建传感器过程简单高效,能灵敏检测识别目标物双酚A。