公开(公告)号：CN103515385B

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201310248858.5

申请日：2013-06-21

Applicant: 拉碧斯半导体株式会社

Inventor： 菊池秀和 ,  大竹久雄 ,  菅井男也

IPC: H01L27/08

CPC classification number: H01L27/0802

Abstract: 本发明提供一种能够实现电阻特性的稳定化的半导体装置。半导体装置具有：在半导体衬底（10）内形成的第一导电型的第一阱区域（11A）；以在横向从该第一阱区域（11A）离开的方式形成的第一导电型的第二阱区域（11B）；覆盖半导体衬底（10）的中间绝缘膜（20，21）；形成在中间绝缘膜（20，21）上的第一以及第二电阻层（32A，32B）；在第一阱区域（11A）和第二阱区域（11B）之间的半导体区域的正上方形成的导电层（33B）。第一电阻层（32A）以及第一阱区域（11A）构成第一电阻元件，第二电阻层（32B）以及第二阱区域（11B）构成第二电阻元件。中间绝缘膜（20，21）介于导电层（33B）和该半导体区域之间。导电层（33B）被固定为不在该半导体区域形成反转层的电位。

公开(公告)号：CN103515385A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310248858.5

申请日：2013-06-21

Applicant: 拉碧斯半导体株式会社

Inventor： 菊池秀和 ,  大竹久雄 ,  菅井男也

IPC: H01L27/08

CPC classification number: H01L27/0802

Abstract: 本发明提供一种能够实现电阻特性的稳定化的半导体装置。半导体装置具有：在半导体衬底（10）内形成的第一导电型的第一阱区域（11A）；以在横向从该第一阱区域（11A）离开的方式形成的第一导电型的第二阱区域（11B）；覆盖半导体衬底（10）的中间绝缘膜（20，21）；形成在中间绝缘膜（20，21）上的第一以及第二电阻层（32A，32B）；在第一阱区域（11A）和第二阱区域（11B）之间的半导体区域的正上方形成的导电层（33B）。第一电阻层（32A）以及第一阱区域（11A）构成第一电阻元件，第二电阻层（32B）以及第二阱区域（11B）构成第二电阻元件。中间绝缘膜（20，21）介于导电层（33B）和该半导体区域之间。导电层（33B）被固定为不在该半导体区域形成反转层的电位。