公开(公告)号：CN117476716A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310939684.0

申请日：2023-07-28

Applicant: 拉碧斯半导体株式会社

Inventor： 谷畑笃史

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种半导体装置以及电子设备，不增加像素尺寸而与以往相比能够增加电容元件的电容。像素(10)具备：形成在半导体基板(21)上且避开形成有光电二极管(11)的区域并且形成在形成有读出电路(12)的区域的下部金属电极(41)、上部金属电极(43)以及电容器绝缘膜(42)，至少一个接触件(44、45)，将下部金属电极(41)和金属布线(40)电连接；以及至少一个接触件(46)，将上部金属电极(43)和金属布线(40)电连接。

公开(公告)号：CN112582467A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202010994669.2

申请日：2020-09-21

Applicant: 拉碧斯半导体株式会社

Inventor： 谷畑笃史

IPC: H01L29/30 ,  H01L21/266

Abstract: 公开了半导体装置和半导体装置的制造方法。提供抑制了晶体缺陷的半导体装置和半导体装置的制造方法。具备参与电路动作的电路图案（21）和不参与电路动作的虚设图案（20），虚设图案（20）被设为与电路图案（21）相比更容易出现应力所致的晶体缺陷的图案。