半导体装置及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN110400796A

    公开(公告)日:2019-11-01

    申请号:CN201910312859.9

    申请日:2019-04-18

    Inventor: 黒木康平

    Abstract: 本发明提供一种通过促进密封树脂对形成于半导体芯片间的间隙的填充来提高半导体芯片间的接合的可靠性的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置包括:第一半导体芯片,在表面具有多个第一电极;第二半导体芯片,与第一半导体芯片的表面隔着间隙而配置,具有内周区域及外周区域,所述内周区域在表面具有连接于各第一电极的多个第二电极,所述外周区域包围内周区域,具有比内周区域的厚度薄的厚度;以及密封树脂,分别填充于第一半导体芯片的表面与内周区域之间、及第一半导体芯片的表面与外周区域之间。

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