公开(公告)号：CN119213880A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202380041077.0

申请日：2023-06-27

Applicant: 拓自达电线株式会社

Inventor： 梅村滋和 ,  矶部修 ,  野野口航太

IPC: H05K9/00 ,  B32B7/025

Abstract: 提供保护层的表面的遮盖性和耐划痕性这两者充分高的电磁波屏蔽薄膜。本发明的电磁波屏蔽薄膜的特征在于，具备：具有第1主面和与上述第1主面对置的第2主面的保护层；和，配置于上述保护层的第2主面的屏蔽层，上述第1主面的界面的扩展面积比Sdr为75.0～250％。

公开(公告)号：CN118234619A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202280074357.7

申请日：2022-12-05

Applicant: 拓自达电线株式会社

Inventor： 梅村滋和 ,  矶部修 ,  野野口航太

IPC: B32B27/00 ,  B32B7/06 ,  B32B27/20 ,  H05K9/00

Abstract: 提供：可以用于制造通过将凹凸转印至电磁波屏蔽薄膜的保护层，从而可以使保护层的表面为哑光调、且热压接时在保护层中不易产生裂纹的电磁波屏蔽薄膜的转印薄膜。本发明的转印薄膜的特征在于，具备具有哑光调转印面的哑光调转印层，上述哑光调转印层包含树脂填料。

公开(公告)号：CN117280881A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202280032600.9

申请日：2022-06-17

Applicant: 拓自达电线株式会社

Inventor： 梅村滋和 ,  矶部修 ,  野野口航太

IPC: H05K9/00

Abstract: 提供：无论黑色层的构成组成如何、黑色度均优异的电磁波屏蔽薄膜。电磁波屏蔽薄膜1在表面具备保护层2，保护层2具有黑色保护层21，保护层2表面的、最小自相关长度Sal为10μm以下，界面扩展面积比Sdr为200％以上，前述Sdr相对于前述Sal之比[Sdr/Sal]为50以上。保护层2侧的亮度L*优选24以下。