-
公开(公告)号:CN104183447B
公开(公告)日:2018-05-22
申请号:CN201410172111.0
申请日:2014-04-25
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 本发明提供一种高能量离子注入装置,维持已扫描的高能量离子束的注入离子密度的均匀性,并且提高异质离子的去除性能。本发明的高能量离子注入装置具备:射束生成单元,具有离子源和质量分析装置;高频多段直线加速单元;偏转单元,包括以动量进行离子的过滤的磁场式的能量分析装置;射束传输线单元;及基板处理供给单元。该装置中,在电场式射束平行化器与晶片之间除了作为动量过滤器的磁场式质量分析装置及能量分析装置、作为速度过滤器的高频多段直线加速单元之外,还插入有通过电场使高能量扫描束向上下方向偏转的电场式最终能量过滤器。
-
公开(公告)号:CN104183447A
公开(公告)日:2014-12-03
申请号:CN201410172111.0
申请日:2014-04-25
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 本发明提供一种高能量离子注入装置,维持已扫描的高能量离子束的注入离子密度的均匀性,并且提高异质离子的去除性能。本发明的高能量离子注入装置具备:射束生成单元,具有离子源和质量分析装置;高频多段直线加速单元;偏转单元,包括以动量进行离子的过滤的磁场式的能量分析装置;射束传输线单元;及基板处理供给单元。该装置中,在电场式射束平行化器与晶片之间除了作为动量过滤器的磁场式质量分析装置及能量分析装置、作为速度过滤器的高频多段直线加速单元之外,还插入有通过电场使高能量扫描束向上下方向偏转的电场式最终能量过滤器。
-